贺中亮
,
谈国强
,
苗鸿雁
,
刘剑
,
夏傲
,
梁东
稀有金属材料与工程
以Hf(SO_4)_2·4H_2O和HCl配制HfO_2前驱液,利用自组装单层膜技术,在OTS自组装单层膜的功能性基团表面制备晶态二氧化铪薄膜.研究了HfO_2前驱液的浓度,退火温度和有机硅烷单分子层等对HfO_2薄膜制备的影响.通过接触角测量仪,XRD和SEM等表征手段,对薄膜表面形貌、微观结构、物相组成进行分析.结果表明:基板在OTS溶液中浸泡为20 min时,有机层表面接触角最大为(110±2)°.利用自组装单层法成功制备出HfO_2晶态薄膜,HfO_2呈立方型,无其他杂相.膜层表面致密均一,生长良好.
关键词:
自组装单层膜法
,
HfO_2
,
薄膜
赵晓静
,
李成明
,
陈良贤
,
刘金龙
,
冯寅楠
,
黑立富
,
吕反修
材料热处理学报
用射频磁控溅射法在CVD ZnS衬底上制备了HfO2薄膜,利用X射线衍射（XRD）,扫描电镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）、傅里叶红外光谱（FTIR）和纳米力学探针对HfO2薄膜的结构和性能进行了分析和测试。结果表明,制备的HfO2为单斜相,膜层致密、表面平整、粗糙度仅为3.0 nm,硬度（7.3 GPa）显著高于衬底ZnS的硬度（2.6 GPa）。采用ZnO薄膜作过渡层,可有效提高HfO2与ZnS衬底的结合强度。单面镀制HfO2薄膜后,ZnS衬底在8-12μm长波红外波段的透过率最高可达81.5%,较之ZnS基体提高了5.8%,双面镀制HfO2薄膜后透过率最高可达90.5%,较之ZnS基体提高了14.8%,与理论计算结果吻合较好,适合作为ZnS窗口的增透保护膜。
关键词:
ZnS
,
HfO2薄膜
,
增透保护膜
,
射频磁控溅射
张允书
,
RobertA.Rapp
中国腐蚀与防护学报
在900℃,1大气压氧条件下,测定了几种有可能作为热屏蔽涂层组份的氧化物Ceo_2、HfO_2和Y_2O_3在熔融Na_2SO_4—30m/0 NaVO_3中的溶解度与熔盐碱度的关系。Y_2O_3的溶解度高于CeO_2和HfO_2。作为对比,也测定了CeO_2在熔融纯Na_2SO_4中的溶解度。在混合盐熔体中,氧化物形成正钒酸盐酸性溶质,溶解度高于其在相应的酸性纯Na_2SO_4熔体中的溶解度。基于实验结果,提出了合金热腐蚀的修正酸性溶解机理。
关键词:
张红鹰
,
吴师岗
,
杜健
硅酸盐通报
用电子束蒸发方法沉积HfO2薄膜,用X射线衍射和透射光谱测定HfO2薄膜的结构特征和光学性能,并测定薄膜的弱吸收和损伤阈值.结果表明:HfO2薄膜在沉积温度为350℃时,达到了较好的结晶程度.在可见光和近红外光区具有很高的透过率;HfO2薄膜的损伤阈值比较高,达到10.5 J/cm2.
关键词:
HfO2薄膜
,
X射线衍射
,
透射光谱
,
薄膜结构
,
光学性能
聂祥龙
,
马大衍
,
徐可为
稀有金属材料与工程
采用原子层沉积(ALD)的方法,选择四二乙基氨基铪(TDEAH)和水作为反应前驱体,在p型(100)单晶硅衬底上制备了HfO2高介电质薄膜.系统研究了前驱体流量、反应气压、反应温度等工艺参数对HfO2薄膜生长质量的影响.通过工艺调控,发现存在两种薄膜生长模式:类CVD(化学气相沉积)生长模式和ALD生长模式.发现薄膜的生长模式主要依赖于制各工艺参量:脉冲参量M和冲洗参量Q,通过优化工艺参数,可实现薄膜生长由类CVD生长模式向ALD生长模式的转变,并获得了0.1 nm/周次的最优薄膜生长速率.同时,薄膜微结构与表面形貌的表征结果表明:薄膜的非晶晶态转变受温度和膜厚两个因素共同控制.
关键词:
高介电质薄膜
,
HfO2
,
原子层沉积
,
生长行为
谭婷婷
,
郭婷婷
,
李小晶
,
陈曦
,
冯丽萍
,
刘正堂
稀有金属材料与工程
研究了Cu/HfO2/ITO和TiN/HfO2/ITO 2种结构阻变存储器件的电阻转变特性.2种结构均表现出稳定的、可重复的双极电阻转变行为.Cu/HfO2/ITO器件的电阻转变机制是Cu导电细丝的形成,而对于TiN/HfO2/ITO器件,在TiN项电极和HfO2薄膜中会形成界面层,因此氧空位导电细丝的形成与断裂,是其主要的电阻转变机制.
关键词:
HfO2薄膜
,
电阻转变机制
,
金属细丝
,
氧空位
谈国强
,
博海洋
,
苗鸿雁
,
夏傲
,
贺中亮
功能材料
结合光刻印技术和HfO2液相自组装沉积成膜技术,在单晶硅表面成功地制备了具有微米级图案结构的HfO2薄膜,该硅基图案化HfO2微结构近来在工业界特别是微电子领域引起极度的关注.X射线衍射(XRD)与扫描电镜(SEM)显示,在图案区域成功制备了HfO2薄膜,EDS能谱测试显示了图案区域的HfO2薄膜的化学组成.
关键词:
微图案
,
光刻印
,
HfO2微结构
刘文婷
,
刘正堂
,
闫锋
,
田浩
,
刘其军
硅酸盐通报
采用射频磁控溅射法在无氧和有氧气氛下制备了HfO2薄膜.通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、傅立叶变换红外光谱(FTIR)、椭圆偏振光谱(SE)以及电容-电压(C-V)测试对薄膜的结构、成分、HfO2/Si界面和HfO2栅介质MOS结构的电学性能等进行了分析表证.结果表明,溅射过程中通入氧气后,薄膜出现了较明显的结晶化;薄膜的氧化程度得到提高,成分更接近理想化学计量比HfO2.在HfO2/Si界面处存在的SiO2界面层,有氧条件下界面层的厚度增大.氧气的通入改善了HfO2栅介质MOS结构的电学性能.
关键词:
射频磁控溅射
,
HfO2薄膜
,
界面层
,
电学性能
贺中亮
,
苗鸿雁
,
谈国强
,
刘剑
,
夏傲
,
娄晶晶
功能材料
利用自组装单层膜技术,在玻璃基板上生长十八烷基三氯硅烷(OTS)单分子膜层,以Hf(SO4)2·4H2O和HCl配制HfO2前驱液,通过液相沉积在硅烷的功能性官能团上诱导生成二氧化铪薄膜.研究了紫外光照射对OTS单分子层的影响,通过接触角测试仪、AFM、SEM及XRD等手段对膜材料的表面形貌和结构进行了研究分析.结果表明,利用自组装单层法成功制备出HfO2晶态薄膜,呈立方型的HfO2,无其它杂相,薄膜表面均一.
关键词:
薄膜
,
自组装单层膜
,
HfO2
张妮
,
常桥稳
,
余尧
,
叶青松
,
谌喜珠
,
刘伟平
,
陈加林
材料导报
HfO2薄膜是一种新兴的薄膜材料,在耐高温保护涂层、微电子、催化等领域有着非常重要的应用.HfO2薄膜优异的性能及广阔的应用前景已经引起人们极大的关注.介绍了MOCVD法制备HfO2薄膜前驱体的研究进展和现状,着重讨论了MOCVD工艺中各类前驱体的优缺点,概述了目前研究的热点和进一步研究的方向.最后得出结论:目前使用较多的β二酮类铪配合物自身存在许多不利于MOCVD工艺的缺点,因此混合配体的铪配合物成为进一步研究的焦点.
关键词:
HfO2
,
薄膜
,
前驱体
,
MOCVD
