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PtSi的价电子结构

殷景华 , 郑馥 , 李雪 , 赵连城

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2000.06.016

利用固体与分子经验电子理论(EET理论)计算了PtSi的价电子结构,并利用X射线光电子谱(XPS)分析了PtSi薄膜中阶电子的能谱.结果表明,Pt和Si化合形成PtSi以后,Si和Pt的杂阶均向较低杂阶方向移动,化合物中含有较高密度的晶格电子,使PtSi具有良好的导电性.X射线光电子谱测试结果表明,PtSi中价电子的能谱向高结合能方向移动,Pt的5d电子是化合物中重要的成键电子.

关键词: PtSi , 价电子结构 , 导电性

磁控溅射PtSi/p-Si纳米薄膜组织结构的研究

殷景华 , 蔡伟 , 李美成 , 赵连城

稀有金属材料与工程

采用磁控溅射方法在p-Si(111)衬底上淀积5nmPt膜,分别在350℃～600℃退火.原子力显微镜(AFM)观察和X射线光电子谱(XPS)分析表明,随退火温度的增加,平坦的薄膜表面变得粗糙,其相分布由Pt-Pt2Si-PtSi变为Pt+Pt2Si+PtSi-PtSi.

关键词: PtSi , 薄膜 , 表面形貌 , 组织结构

Effect of Annealing Temperature on the Formation of Silicides and the Surface Morphologies of PtSi Films

Jinghua YIN , Meicheng LI , Yufeng ZHENG , Zhong WANG , Wei CAI , Peilin WANG , Peilin WANG

材料科学技术（英文）

The effect of annealing temperature on the formation of the PtSi phase. distribution of silicides and the surface morphologies of silicides films is investigated by XPS. AFM. It is shown that the phase sequences of the films change from Pt-Pt2Si-PtSi-Si to Pt+Pt2Si+PtSi-PtSi-Si or Pt+Pt2Si+PtSi-PtSi-st with an increase of annealing temperature and the reason for the formation of mixed layers is discussed.

关键词:

脉冲激光制备硅基超薄PtSi薄膜

李美成 , 杨建平 , 王菁 , 陈学康 , 赵连城

功能材料

用脉冲激光沉积制备了纳米级Pt/Si异质层,对脉冲激光退火形成超薄PtSi薄膜进行了研究.对于Pt、Si互扩散反应形成Pt2Si和PtSi的过程利用XPS进行了测试分析,通过XPS和AFM等分析测试手段对不同参数激光退火形成的PtSi薄膜的结构特性进行观测.我们获得了均匀的、超薄连续的PtSi层且具有平滑的PtSi/Si界面.

关键词: 脉冲激光沉积(PLD) , 激光退火 , 纳米薄膜

退火温度对纳米PtSi/Si异质结形成的影响

殷景华 , 蔡伟 , 王培林 , 郑玉峰 , 王中 , 李美成 , 赵连城

功能材料

采用XPS、XRD、AFM测试技术,研究退火温度对PtSi/Si异质结薄膜硅化物形成、分布及硅化物薄膜表面形貌的影响.测试结果表明,低温退火,薄膜中相分布顺序为Pt→Pt2Si→PtSi→Si;高温退火,相分布顺序为Pt→Pt2Si+PtSi→PtSi→Si或Pt+PtzSi+PtSi→PtSi→Si.退火温度高,薄膜中晶粒尺寸大,表面粗糙.

关键词: 退火温度 , PrSi/Si异质结 , 硅化物 , 薄膜 , 表面形貌

硅基PtSi纳米薄膜制备及应用研究进展

李美成 , 殷景华 , 蔡伟 , 赵连城 , 陈学康 , 杨建平 , 王菁

功能材料

PtSi红外探测器是一种重要的光电器件,在军事和民用方面均起着非常重要的作用.高质量硅基PtSi薄膜的制备是高性能器件研制的基础.本文介绍了溅射、分子束外延、脉冲激光沉积和激光分子束外延等制备PtSi薄膜的方法.并评述了PtSi红外探测器的最新应用研究进展及发展趋势.

关键词: 红外探测器 , 纳米薄膜 , 脉冲激光沉积 , 激光分子束外延

纳米级PtSi/P-Si(100)薄膜形成工艺研究

刘爽 , 宁永功 , 陈艾 , 刘俊刚 , 杨家德 , 李昆

功能材料

用XRD、XPS、TEM分析手段研究了在P-Si(100)上溅射的Pt膜,经不同工艺形成PtSi薄膜的物相及连续性.通过分析硅衬底预处理以及退火条件、气氛等对成膜质量的影响,找到形成超薄PtSi膜的工艺方法,制备出4nm连续薄膜.

关键词: 红外探测器 , PtSi薄膜 , 纳米级 , 退火

Effect of Annealing Temperature on the Formation of Silicides and the Surface Morphologies of PtSi Films

材料科学技术（英文）

关键词:

纳米薄膜脉冲激光沉积技术

李美成 , 赵连城 , 杨建平 , 陈学康 , 吴敢

宇航材料工艺 doi:10.3969/j.issn.1007-2330.2001.04.001

简要介绍了脉冲激光薄膜沉积(PLD)技术的物理原理、独具的特点,并且介绍了在PLD基础上结合分子束外延(MBE)特点发展起来的激光分子束外延(L-MBE),以及采用L-MBE技术制备硅基纳米PtSi薄膜的结果.

关键词: 脉冲激光沉积 , 纳米薄膜 , 激光分子束外延(L-MBE) , 红外探测器

Pt/Au/p-Si溅射薄膜组织结构特征

殷景华 , 蔡伟 , 王明光 , 郑玉峰 , 赵连城

功能材料

在p-Si衬底上,分别淀积5 nm Au膜和5nmPt膜,形成Pt/Au/p-Si结构,500℃退火后形成硅化物薄膜.采用X射线光电子谱和X射线衍射谱研究薄膜成分和相分布,利用原子力显微镜和高分辨电子显微镜观察薄膜表面形貌和界面结构.测试结果表明,薄膜中含有PtSi相和Au相,表面较平坦,PtSi相形成层状结构,Au原子聚集成岛状结构.

关键词: Pt/Au/p-Si , 薄膜 , 硅化物分布 , 表面和界面结构