硅基PtSi纳米薄膜制备及应用研究进展

功能材料, 2001, 32(3): 237-239.

硅基PtSi纳米薄膜制备及应用研究进展

李美成 ^1, , 殷景华 ^2, , 蔡伟 ^3, , 赵连城 ^4, , 陈学康 ^5, , 杨建平 ^6, , 王菁 ^7,

1.哈尔滨工业大学,材料科学与工程学院,

2.哈尔滨工业大学,材料科学与工程学院,

3.哈尔滨工业大学,材料科学与工程学院,

4.哈尔滨工业大学,材料科学与工程学院,

5.兰州物理研究所,激光分子束外延技术实验室,

6.兰州物理研究所,激光分子束外延技术实验室,

7.兰州物理研究所,激光分子束外延技术实验室,

基金项目: 国防科技预研跨行业综合技术项目(18.9.2)

关键词：红外探测器 , 纳米薄膜 , 脉冲激光沉积 , 激光分子束外延

NeW development on preparation and application of PtSi nanometer thin film on silicon substrate

PtSi红外探测器是一种重要的光电器件,在军事和民用方面均起着非常重要的作用.高质量硅基PtSi薄膜的制备是高性能器件研制的基础.本文介绍了溅射、分子束外延、脉冲激光沉积和激光分子束外延等制备PtSi薄膜的方法.并评述了PtSi红外探测器的最新应用研究进展及发展趋势.

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