钟志有
,
龙路
,
陆轴
,
龙浩
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.16.002
采用磁控溅射方法在玻璃基片上制备了 Ga-Ti 共掺杂 ZnO(GTZO)透明导电薄膜,通过 XRD、四探针仪和分光光度计测试,研究了氩气压强对 GTZO 薄膜光电性能和晶体结构的影响。结果表明：所有 GTZO 薄膜均为(002)择优取向的六角纤锌矿结构,其光电性能和晶体结构与氩气压强密切相关。当氩气压强为0.4 Pa 时,GTZO 薄膜具有最大的晶粒尺寸(85.7 nm)、最小的压应力(-0.231 GPa)、最高的可见光区平均透射率(86.1%)、最低的电阻率(1.56×10-3Ω·cm)和最大的品质因子(4.28×105Ω-1·cm-1),其光电综合性能最佳。另外,采用光学表征方法计算了薄膜的光学能隙和折射率,并利用有效单振子理论对折射率的色散性质进行了分析,获得了 GTZO 薄膜的色散参数。
关键词:
透明导电薄膜
,
掺杂ZnO
,
磁控溅射
,
光电性能
郝瑞亭
,
刘焕林
,
杨宇
功能材料
采用电子束蒸发方法在玻璃衬底上制备ZnO薄膜和掺杂ZnO薄膜.通过X射线衍射、台阶仪及Hall效应等测试研究了衬底温度和掺杂对晶体质量和电学性能的影响,发现原位生长的ZnO薄沿c轴择优生长,且掺杂ZnO薄膜具有低达3.029×10-4Ω·cm的电阻率.
关键词:
ZnO薄膜
,
电子束蒸发
,
电学性能
,
XRD分析
文军
,
陈长乐
,
潘峰
,
吴小丽
,
张修兴
材料导报
ZnO薄膜的性质取决于不同的掺杂元素和不同的制备工艺.概述了掺杂ZnO薄膜的研究现状,分析了不同掺杂组分对ZnO薄膜的p型转变特性、发光特性以及铁磁性质的影响,认为稀土掺杂可能使ZnO薄膜产生新的发光特性,共掺杂技术可能是实现ZnO薄膜特性改变的新途径.
关键词:
ZnO薄膜
,
P型掺杂
,
稀土掺杂
,
受激发光
,
稀磁半导体
肖振林
,
史力斌
人工晶体学报
采用基于密度泛函理论(DFT)和局域密度近似(LDA)的第一性原理分析了Cu掺杂ZnO的磁性质.计算了6个不同几何结构的铁磁(FM)和反铁磁(AFM)耦合自由能,结果表明FM耦合更稳定.FM性质主要来源于Cu 3d与O2p原子之间的杂化.O空位和N杂质对Cu掺杂ZnO铁磁性的研究表明,O空位和N杂质不利于稳定其铁磁性质.通过研究Cu3d能级之间的耦合,阐述了Cu掺杂ZnO铁磁性产生的原因.另外,也分析了晶格轴应变和剪切应变对Cu掺杂ZnOFM耦合影响.
关键词:
第一性原理
,
铁磁性
,
缺陷
,
应变
唐海平
,
马权
,
何海平
,
叶志镇
,
材料导报
随着近年来各种形貌ZnO纳米材料的生长及ZnO纳米器件的研究,ZnO纳米材料的p型掺杂逐渐成为研究的重点之一.主要介绍了ZnO纳米材料的p型掺杂及其器件研究进展,简要讨论了当前掺杂研究的局限,展望了今后的发展方向.
关键词:
ZnO
,
纳米材料
,
p型掺杂
艾常涛
,
李珍
材料导报
结合当前掺杂ZnO功能薄膜的制备方法、工艺条件,综述了不同掺杂元素对ZnO薄膜的结构、电学、光学性能、气敏特性以及应用领域等方面的影响,并展望了ZnO功能薄膜的发展趋势.
关键词:
ZnO薄膜
,
掺杂
,
特性
,
禁带宽度
李瑛娟
,
陈清明
,
马吉
材料导报
综述了近年来国内外稀土掺杂ZnO薄膜的研究现状,总结了稀土掺杂的方式及稀土掺杂对ZnO薄膜的结构、光、电、磁学性能以及抗腐蚀性能的影响,并介绍了稀土掺杂ZnO薄膜在气敏传感器方面的应用,最后探讨了稀土掺杂ZnO薄膜存在的问题及今后可能的研究方向.
关键词:
ZnO
,
稀土掺杂
,
制备
戴护民
,
桂阳海
材料导报
综述了多功能材料ZnO的气敏和光催化机理,分别介绍了为了改进ZnO的气敏性能和光催化性能而进行的掺杂改性措施,包括掺杂贵金属、普通金属离子、金属氧化物等,提出综合利用ZnO的气、光敏特性,选择合适的掺杂剂对ZnO进行修饰改性将是提高ZnO气敏元件性能的一个较好的方向.
关键词:
ZnO
,
掺杂改性
,
气敏
,
光催化
李驰平
,
张铭
,
宋雪梅
,
王波
,
李彤
,
严辉
材料导报
ZnO薄膜作为一种多功能半导体材料,近年来一直受到广泛关注.然而,如何制备高质量的p型ZnO薄膜是实现其实用化的关键.概括了p型掺杂困难的原因,并指出Ⅲ-Ⅴ族元素共掺杂可能是p型掺杂的最好方法.简单回顾了ZnO薄膜p型掺杂的研究现状,并对今后的发展趋势进行了展望.
关键词:
ZnO薄膜
,
p型掺杂
,
共掺杂方法
张富春
,
邓周虎
,
阎军锋
,
王雪文
,
张志勇
功能材料
根据密度泛函理论(DFT),采用"总体能量-平面波"超软赝势方法,对不同的Ga掺杂浓度的ZnO晶体几何结构进行了优化,从理论上给出了Ga掺杂ZnO晶体结构参数及性质,为ZnO材料的掺杂改性研究提供了理论依据.计算了Ga掺杂情况下ZnO晶体的总体能量、能带结构、总体态密度、分波态密度.分析了Ga掺杂对ZnO晶体电子结构和光学吸收带边的影响.
关键词:
ZnO
,
密度泛函
,
电子结构
,
掺杂
,
光吸收边
,
Burstein-Moss移动
