文波
,
苏晓东
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2008.02.004
使用脉冲激光沉积(PLD)技术在Si(100)衬底上沉积钇稳定的氧化锆(YSZ)薄膜,用XRD分析薄膜的结晶取向,SEM和AFM观测薄膜表面形貌,研究了在200-650℃的不同衬底温度下薄膜的择优生长.结果表明:衬底温度较低的YSZ薄膜为非晶组织,衬底温度为300-500℃时YSZ晶粒以表面能低的(111)面首先择优生长,衬底温度超过550℃后晶粒活化能提高而使表面能较高的(100)晶粒择优生长.YSZ薄膜是典型的岛状三维生长模式,较高的衬底温度有利于原子在衬底表面迁移和重排结晶长大.同其它沉积技术相比,用PLD技术能在比较低的衬底温度下在Si(100)表面原位外延生长出较高质量的YSZ薄膜.
关键词:
无机非金属材料
,
YSZ薄膜
,
PLD沉积
,
择优生长
,
衬底温度
高国棉
,
陈长乐
,
陈钊
,
李谭
,
王永仓
,
金克新
,
赵省贵
材料导报
介绍了脉冲激光沉积薄膜技术的原理、特点,详细探讨了脉冲激光沉积的研究动态和发展趋势.大量研究表明,PLD技术是目前制备薄膜的最好方法之一.
关键词:
PLD
,
等离子体
,
薄膜沉积
高菲
,
刘丹敏
,
刘星
,
郝斐
,
戴琳
,
周美玲
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2005.z1.075
Ag是目前唯一不需要隔离层的高温超导基带材料,而且研究表明,在YBCO中掺入适量的Ag,将有利于超导性能的改善和表面电阻的降低.本研究采用准分子激光法(PLD),在经不同表面处理的{110}<110>取向的双轴织构银基带上直接沉积了YBCO薄膜,得到了强双轴织构的超导膜,系统地研究了银基带中的孪晶、晶界等缺陷对YBCO超导微观组织的影响.
关键词:
YBCO
,
PLD
,
Ag基带
仇旭升
,
谢可可
,
孔明光
,
汪壮兵
,
刘炳龙
,
马渊明
,
章伟
,
梁齐
材料导报
在Si衬底上用脉冲激光沉积法生长C轴取向高度一致的ZnO纳米薄膜.实验制备ZnO纳米结构,其颗粒尺寸的控制是关键.通过改变衬底温度(400～700℃)和沉积时间,获得不同的ZnO纳米结构.SEM观察,在600℃时颗粒均匀且间隔明显,且该薄膜结构为不连续膜,这与其他衬底温度下所形成的薄膜结构有很大差异.XRD显示,600～700℃结晶良好.
关键词:
纳米薄膜
,
PLD
,
XRD
黄艳芹
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.10.022
采用快速等离子烧结法(SPS)制得纯相BiFeO3靶材,利用脉冲激光沉积(PLD)法将其沉积在Si(100)衬底上,制得BiFeO3薄膜.通过调节各种工艺参数,在沉积温度650℃,氧压2Pa,靶基距5cm,脉冲激光频率7Hz、激光能量350mJ条件下获得了高择优取向、高结晶度的BiFeO3薄膜.在此工艺条件下,又制备了不同厚度的BiFeO3薄膜.用XRD、SEM等手段对薄膜相和形貌进行了表征.结果表明,制备的薄膜有较高的形貌质量,薄膜的铁电、铁磁性能呈现出与厚度的强相关性；其中300nm厚的薄膜质量最好.
关键词:
多铁性
,
BiFeO3
,
快速等离子烧结
,
铁电铁磁性
胡居广
,
林晓东
,
曹慧群
,
罗仲宽
,
李启文
,
张一倩
,
刁雄辉
稀有金属材料与工程
利用脉冲激光沉积(PLD)法在40～600℃范围内,以石英为基底制备了系列铜铟镓硒(CIGS)薄膜.利用分光光度计,XRD,SEM,EDS等对薄膜进行表征.结果表明,薄膜都以(112)择优取向生长,在40～400℃范围内,温度对薄膜结晶质量、晶粒尺寸等影响不明显；温度达到600℃时,结晶质量、晶粒尺寸及薄膜的红外透光率等显著增加.认为这主要与Ga元素的扩散受温度的影响有关,温度越高,Ga元素有足够的能量进行充分扩散,并完成晶体结构重组,同时分析了Se元素含量随温度变化的原因.
关键词:
CIGS薄膜
,
脉冲激光沉积
,
温度
,
扩散
彭巨擘
,
张鹏翔
,
陈大鹏
,
张虞澜
,
朱绍将
,
王茺
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2003.05.028
研究了PLD系统中用硅板做衬底加热器时影响衬底温度的几个因素.通过使用校准了的红外测温仪做温度检测元件,发现:1.硅板上各部分的温度不是均匀分布的;2.衬底放在硅板上时,衬底温度和硅板温度有很大的不同;3.在相同的硅板加热电流下,硅板温度随硅板环境的真空度不同而变化.不细致考虑上述因素时,脉冲激光沉积(PLD)镀膜的质量很难保证.
关键词:
PLD
,
硅板加热器
,
衬底
,
真空度
庄惠照
,
何建廷
,
薛成山
,
张晓凯
,
田德恒
,
胡丽君
,
薛守斌
稀有金属材料与工程
在不同衬底温度下用脉冲激光沉积法(PLD)在n型硅(111)衬底上生长ZnO薄膜.通过对薄膜进行的X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收(FTIR)、光致发光谱(PL)、透射电子显微镜(TEM)和选区电子衍射(SAED)的测量,研究了衬底温度对PLD方法制备的ZnO薄膜的结晶质量、发光性质以及微观结构的影响.发现在600℃的衬底温度下可以得到结晶质量最佳的ZnO薄膜.随着晶粒直径的减小,出现量子限制效应,在红外吸收和光致发光中的峰位均产生了蓝移.
关键词:
PLD
,
ZnO
,
薄膜
,
六方纤锌矿结构
张霞
,
陈同来
,
李效民
无机材料学报
采用脉冲激光沉积法(PLD),以KrF准分子为脉冲激光源,Si(100)为衬底,同时引 入缓冲层TiN和Ti0.8Al0.2N,制备了结晶质量优异的A1N薄膜,X射线衍射(XRD)及反射 式高能电子衍射(RHEED)分析表明A1N薄膜呈(001)取向、二维层状生长.研究发现,薄膜 的生长模式依赖于缓冲层种类,直接在Si衬底上或MgO／Si衬底上的A1N薄膜呈三维岛状生 长;而同时引入缓冲层TiN和Ti0.8Al0.2N时,A1N薄膜呈二维层状生长.此外,激光能量密 度大小对A1N薄膜的结晶性有显著的影响,激光能量密度过大,薄膜表面粗糙,有颗粒状沉积 物生成.在氮气气氛中沉积,能使薄膜的取向由(001)改变为(100).
关键词:
脉冲激光沉积
,
aluminium nitride thin film
,
buffer layer
接文静
,
朱俊
,
魏贤华
,
张鹰
,
罗文博
,
艾万勇
,
李言荣
功能材料
采用脉冲激光沉积法(PLD)分别在LaAlO3(100)以及MgO(100)基片上,在不同的沉积温度下,制备具有体心立方类钙钛矿结构的CaCu3Ti4O12(CCTO)薄膜.在LAO基片上生长的CCTO薄膜,X射线衍射(XRD)分析表明沉积温度在680℃以上可以实现 (400)取向生长,740℃薄膜可以实现cubic-on-cubic的方式外延生长.原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)分析分别显示CCTO薄膜的表面平整,界面清晰.后位的反射高能电子衍射(RHEED)观察到CCTO薄膜的电子衍射图谱,为点状.在MgO基片上,由于薄膜与基片较大的晶格失配,通过生长具有(100)和(110)取向的LaNiO3(LNO)缓冲层,诱导后续生长的CCTO薄膜随着温度的提高,由(220)取向生长转变成(220),(400)取向生长.
关键词:
CCTO薄膜
,
PLD
,
取向生长
,
RHEED
