PLD方法制备CaCu3Ti4O12薄膜结构研究

功能材料, 2007, 38(3): 345-347.

PLD方法制备CaCu3Ti4O12薄膜结构研究

接文静 ^1, , 朱俊 ^2, , 魏贤华 ^3, , 张鹰 ^4, , 罗文博 ^5, , 艾万勇 ^6, , 李言荣 ^7,

1.电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054

2.电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054

3.电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054

4.电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054

5.电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054

6.电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054

7.电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054

基金项目: 国家重点基础研究发展计划(973计划)(51310Z03) 国家自然科学基金(50425207)

关键词： CCTO薄膜 , PLD , 取向生长 , RHEED

Study on the structure of CCTO thin films fabricated by PLD

采用脉冲激光沉积法(PLD)分别在LaAlO3(100)以及MgO(100)基片上,在不同的沉积温度下,制备具有体心立方类钙钛矿结构的CaCu3Ti4O12(CCTO)薄膜.在LAO基片上生长的CCTO薄膜,X射线衍射(XRD)分析表明沉积温度在680℃以上可以实现 (400)取向生长,740℃薄膜可以实现cubic-on-cubic的方式外延生长.原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)分析分别显示CCTO薄膜的表面平整,界面清晰.后位的反射高能电子衍射(RHEED)观察到CCTO薄膜的电子衍射图谱,为点状.在MgO基片上,由于薄膜与基片较大的晶格失配,通过生长具有(100)和(110)取向的LaNiO3(LNO)缓冲层,诱导后续生长的CCTO薄膜随着温度的提高,由(220)取向生长转变成(220),(400)取向生长.

参考文献

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