王博
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李俊国
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杨海涛
,
沈强
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张联盟
人工晶体学报
以ZrB2、SiC粉体为原料,通过等离子活化烧结在1800℃,30 MPa,保温时间5 min条件下制得出组织结构均匀致密度的ZrB2-SiC陶瓷块体;采用磁控溅射在Nb箔表面镀微米级别的ZrC薄膜.然后将Nb箔与ZrB2-SiC叠层进行烧结.利用XRD检测了产物物相,采用SEM和能谱分析观测了断口显微结构和元素分布.结果表明,当Nb箔表面无ZrC薄膜或薄膜被破坏后,产物中基本不存在单质Nb.当Nb箔表面保持有完整ZrC薄膜时,Nb金属相可以大量保留下来.当烧结温度低于1500℃时,ZrC薄膜可以有效阻止铌箔的与ZrB2、SiC的反应.镀有ZrC薄膜的Nb箔做中间层与ZrB2/SiC叠层材料的断裂韧性有明显提高,断裂韧性达到了9.66 MPa·m1/2.
关键词:
ZrB2/SiC复相陶瓷
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Nb箔
,
ZrC薄膜
,
叠层烧结
郑精武
,
姜力强
,
陈巧玲
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2008.01.010
为优化电沉积制备软磁铁箔的工艺条件,研究电解液温度和阴极电流密度对铁箔的磁学、力学和电学性能的影响规律,采用软磁材料测试仪、直流电阻电桥和显微硬度计研究了工艺条件变化时对铁箔的磁参数、电阻率和显微硬度的影响,并对铁箔的金相显微组织进行分析.结果表明:阴极电流密度增大时,铁箔的矫顽力增大,最大磁导率降低,显微硬度值及电阻率均提高;电解液温度提高时,铁箔的矫顽力降低,最大磁导率增大,显微硬度值下降,而电阻率提高;在650 ℃经过真空退火后的铁箔矫顽力降低,最大磁导率提高,其电阻率和硬度都下降,韧性明显提高.电沉积工艺条件改变时,薄膜的晶粒尺寸影响铁箔性能的变化.
关键词:
电沉积
,
铁箔
,
磁性能
,
电阻率
,
显微硬度
杨伟
,
苏长伟
,
郭俊明
,
张英杰
电镀与涂饰
介绍了电化学法制备微米多孔铁箔的工艺.先以纯钛片为基体,采用电沉积法制得纯铁箔,电解液组成和工艺条件为:FeCl2·4H2O 300～400 g/L,aCl2 111 g/L,H3BO3 15 g/L,LaCl3·4H2O 37 g/L,pH0.1～0.4,电流密度50 A/dm2,温度95～105℃,时间5 min.再以纯铁箔作阳极,纯钛片作阴极,在相同的电解液中对纯铁箔进行阳极腐蚀,从而获得多孔铁箔.研究了阳极腐蚀时间、电流密度及温度对多孔铁箔表面形貌的影响.阳极腐蚀的最优工艺条件为:电流密度25 A/dm2,温度85℃,时间2.5 min.最佳工艺下可制得孔径为1～ 10μm、孔密度高于10 000个/cm2的微米多孔铁箔.
关键词:
多孔铁箔
,
电沉积
,
阳极腐蚀
,
表面形貌
朱学新
,
张少明
,
贺会军
,
郭宏
,
李永伟
,
徐柱天
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1998.04.002
通过金相显微镜和扫描电镜对急冷铝基纤料箔两个表面的观察分析表明,急冷钎料箔正面和自由面的微观特征明显不同.纤料箔正面具有周期性分布的波浪形气痕、纵向的撕裂沟痕和模体沟痕;而自由面上具有周期性分布的箭头状气痕、圆形气坑、纵向摩擦沟痕、随机分布的山丘状隆起和弥散分布的圆形小凸起等现象,本研究分析了这些现象的成因并提出了相应的解决办法,为制备表面质量较高的急冷铝基钎料箔提供依据.
关键词:
急冷
,
平面流铸
,
铝基纤料
,
钎料箔
,
钎焊
,
表面
申蓉
,
卢云
,
杨邦朝
,
冯哲圣
材料导报
从高压铝阳极箔的立方织构、腐蚀技术、化成工艺等方面概述了目前高压铝电解电容器用电极箔研究领域的最新进展,其中包括加入稀土净化铝锭基体、发坑和扩孔的腐蚀技术、复合高介电常数氧化膜.最后预测了超高压、电真空沉积氧化膜的发展方向.
关键词:
电解电容器
,
化成
,
添加剂
,
腐蚀
,
高介电常数
宋萍
,
邢丕峰
,
谌家军
,
李朝阳
,
谢军
,
易泰民
,
林华平
稀有金属材料与工程
具有体密度的高表面质量金属钨薄膜对材料高压状态方程研究具有十分重要的意义.综述了钨箔膜制备的几种方法,包括化学气相沉积、物理气相沉积、机械轧制、机械研磨抛光、化学抛光和电解抛光.综合比较后认为,采用电解抛光法可以基本满足状态方程靶用钨箔膜的需要.电解抛光可以制备表面质量比较高,厚度最小可达几微米的金属箔材,密度与原料相同,而且不会产生内应力、表面硬化、表面沾污问题,是制备低表面粗糙度、具有块材组织结构和密度材料的一种重要手段.
关键词:
钨箔膜
,
制备技术
,
表面粗糙度
,
电解抛光
冯哲圣
材料导报
高比容铝电极箔制造技术是实现铝电解电容器小型化的关键技术,本论文从提高铝电极箔电蚀扩面倍率及提高介质膜介电常数两个不同角度出发,对低压铝电极箔增容技术的机理及相关工艺进行了详细研究,大幅度地提高了国产铝电极箔比容水平,所取得的主要结论及创新性的结果如下:
(1)提出了高纯铝在腐蚀性介质体系中发生点蚀时,蚀核萌生机制和蚀孔生长机制研究了高纯铝在不同腐蚀介质中点蚀萌生时的恒电位电化学电流噪声,结果表明:蚀核的萌生主要来自于高纯铝表面膜结构内部与表面的活性点;这些活性点主要与高纯铝表面膜结构与电化学条件相关,而与溶液组成并无直接关系;蚀核的萌生是高纯铝表面膜结构中活性点与侵蚀性离子的相互作用的结果.活性点能否萌生为蚀核受溶液中侵蚀性离子的攻击作用与缓蚀性离子的保护作用共同影响,因此也受溶液组成的影响;Cl浓度的增加可提高蚀核的萌生几率,而SO2-4离子的加入则大幅度降低了高纯铝在含Cl溶液中蚀核萌生几率.
(2)对高纯铝交流腐蚀机理进行了研究,首次提出了Cl氧空位输运侵蚀机制,以及SO2-4氧空位缓蚀作用机制采用三角波动电位扫描法研究了高纯铝交流腐蚀机理,提出了Cl通过存在于侵蚀膜内微晶晶界上的氧空位输运,从而对铝基体进行侵蚀的机制.并利用上述机制对相关实验现象进行了解释.对SO2-4在铝电极箔电蚀扩面工程中缓蚀作用机理进行了研究,指出SO2-4的独特缓蚀作用为:在点蚀萌生时,通过氧空位阻断机制阻止蚀孔萌生,但一旦蚀孔生成,促进蚀孔迅速增大,同时蚀孔内发孔数量增加.因此一定量SO2-4的添加有利于铝电极箔海绵层结构的生成.
(3)建立了YF基元生长模型对铝电极箔理论扩面倍率进行了计算针对已有的铝电极箔理论扩面倍率计算模型不能准确反映中低压铝电极箔的海绵状蚀孔特征的缺点,提出了YF基元生长模型对铝电极箔理论扩面倍率进行了较为准确地计算.结果表明:目前实际的扩面倍率在高压部分与理论扩面倍率很接近,但在中低压部分实际扩面倍率与理论扩面倍率相差较大.因此高压铝电极箔通过电蚀扩面提高比容的前景较小,而对于中低压铝电极箔,提高单位面积静电容量的余地还很大.
(4)研究了交流发孔工艺发孔工艺是铝电极箔电蚀扩面工程中的关键工艺,本文分析对比了低压铝电极箔交流发孔工艺与直流发孔工艺.对交流发孔工艺进行了工艺研究,优选出了一套较好的交流发孔工艺参数,该工艺与常规蚀孔生长工艺进行配套后,腐蚀箔比容在51Vf时可达到18.8μF/cm2.
(5)研究了高介电常数的介质膜生长技术提高铝电极箔介质膜的介电常数可大幅度地提高铝电极箔比容.本文研究了一系列与目前工业联动腐蚀、化成线具有良好兼容性的后处理增容技术,并对相关机制进行了研究.其中经过磷酸-铬酸处理或胺类溶液处理,提高铝氧化膜内γ'-Al2O3或γ-Al 2O3的含量,在合适的工艺条件下,国产铝电极箔比容在51Vf下分别可增容37.5%和35%.首次提出并研究了通过无机盐水解的技术途径在铝介质膜内复合高介电常数阀金属氧化物,在实验室工艺条件下,铝电极箔比容在51Vf下可增容45.6%.目前该技术已申请国家发明专利.
(6)将小波及小波包信号分解及重构引入测试信号的分析处理中,取得了良好效果在高纯铝点蚀机理的研究方面,首次提出了电化学噪声小波包分解子带能量谱分析技术,该分析技术具有表现电化学噪声信号"指纹"特征的能力,对腐蚀体系、腐蚀类型及腐蚀状态都具有较强的敏感性.对高纯铝变频腐蚀机制所进行的研究中,采用小波包时频分解,证明了高纯铝变频腐蚀动力学机制仍服从Tafel关系.首次基于小渡包分解与信号重构方法,给出了在进行变频腐蚀动力学机制研究中动力学参数βa的实时测量方法.
关键词:
铝电解电容器
,
铝电极箔
,
比容
,
点蚀
,
高介电常数
,
机理
,
小波分析
李海凤
,
牛玉超
,
苏超
,
王志刚
,
王献忠
表面技术
doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2009.02.017
为了研究溅射工艺对膜-基间结合力的影响,获得成本较低、膜-基间结合较好的表层导电薄膜电磁屏蔽材料,利用磁控溅射镀膜方法在Al箔基体上溅射沉积Cu膜,采用胶粘带拉剥法测试了膜-基间的结合力,使用扫描电子显微镜观察了Cu膜的组织和Al/Cu的界面形貌.结果表明:溅射工艺对膜-基间的结合力有着明显的影响,镀Cu前对Al箔进行反溅射和在溅射沉积过程中对工件施加负偏压都可有效地提高膜-基间的结合力.分析认为:镀Cu前反溅射可有效地去除Al箔表面的氧化膜,使Al箔表面得到净化;在磁控溅射沉积过程中对工件施加较高负偏压将产生辉光放电,使工艺转化成溅射离子镀,从而获得与基体结合良好、晶粒细小、致密的镀层.
关键词:
电磁屏蔽
,
磁控溅射
,
Al箔
,
Cu膜
,
负偏压
,
结合力
