陈小娟
,
崔群
,
王海燕
,
堵文斌
,
汪洋
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2008.04.030
采用BET, TG, ICP, XRD, SEM和TEM等分析手段对PTA加氢失活的MPB5型Pd/C催化剂进行了表征, 并与新鲜催化剂进行比较.结果表明, 失活催化剂的比表面积为837.8 m2·g-1, Pd的质量分数为0.37%, 比新鲜催化剂的比表面积(1146.3 m2·g-1)和Pd的质量分数(0.53%)分别下降了26.9%和30.2%;失活催化剂中Pd晶粒的粒径为50～100 nm, 约是新鲜催化剂中Pd晶粒的10～20倍.说明MPB5型Pd/C催化剂失活的主要原因是催化剂比表面积的下降, Pd含量的降低及Pd晶粒的长大.
关键词:
对苯二甲酸
,
Pd/C催化剂
,
失活
仪修杰
,
陈焕矗
,
程振祥
,
韩建儒
,
曹文武
,
翟剑庞
,
杨长红
,
姜付义
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.03.014
用Czochralski方法生长出铁电钨青铜型单晶(Sr1-xBax)2NaNb5O15(简称SBNN),晶体沿c轴方向生长.正交-四方相的准同型相界(简称为MPB)存在于x=0.45～0.50之间;SBNN晶体是不一致熔融的化合物,在晶体成长过程中,Sr2+的分凝系数比Ba2+的大,因此具有高浓度Ba2+的SBNN晶体很难生长.晶体的居里温度是243℃,在此温度下的相变是弥散的,随频率的增加,介电常数降低.
关键词:
四方钨青铜
,
Czochralski法
,
准同型相界
,
正交相
,
四方相
冯亚军
,
徐卓
,
李振荣
,
张麟
,
姚熹
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2006.01127
(1-x)BiScO3-xPbTiO3陶瓷(简记BS-PT)在x=64.0%附近存在一个从菱方晶系过渡到四方晶系的准同型相界, 在此相界附近材料能获得优良的介电和压电性能. 本文选取PbTiO3含量在64.0%~65.5%的准同型相界附近的材料组分, 利用传统的固相烧结反应法合成了纯钙钛矿相结构的BS-PT陶瓷, 通过对材料的相结构形成过程和内部形貌分析以及对介电、压电性能的研究, 发现在x=64.%的组分条件下, BS-PT陶瓷材料获得了准同型相界范围内的最优的压电性能, 其室温压电常数d33可达500pC/N, 且居里温度(Tc)达到了438℃, 剩余极化强度和电致应变分别为44uC/cm2和3.5‰. 研究表明, 准同型相界附近的BS-PT陶瓷是一种优良的压电换能器和传感器材料.
关键词:
BS-PT
,
morphotropic phase boundary
,
high Curie temperature
,
piezoelectric ceramics
冯亚军
,
徐卓
,
李振荣
,
张麟
,
姚熹
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2006.05.017
(1-x)BiScO3-xPbTiO3陶瓷(简记BS-PT)在x=64.0%附近存在一个从菱方晶系过渡到四方晶系的准同型相界,在此相界附近材料能获得优良的介电和压电性能.本文选取PbTiO3含量在64.0%～65.5%的准同型相界附近的材料组分,利用传统的固相烧结反应法合成了纯钙钛矿相结构的BS-PT陶瓷,通过对材料的相结构形成过程和内部形貌分析以及对介电、压电性能的研究,发现在x=64.5%的组分条件下,BS-PT陶瓷材料获得了准同型相界范围内的最优的压电性能,其室温压电常数d33可达500pC/N,且居里温度(Tc)达到了438℃,剩余极化强度和电致应变分别为44μC/cm2和3.5‰.研究表明,准同型相界附近的BS-PT陶瓷是一种优良的压电换能器和传感器材料.
关键词:
BS-PT
,
准同型相界
,
高居里温度
,
压电陶瓷
张斌
,
肖定全
,
吴家刚
,
王媛玉
,
朱建国
,
余萍
功能材料
K0.5Na0.5NbO3(KNN)系铌酸盐是一类可能替代铅基压电陶瓷的无铅压电陶瓷.利用Ta和Sb掺杂或者取代KNN中的相关离子,在陶瓷的准同型相界(MPB)处显现出高的压电和介电性能.利用传统技术制作出一种新的致密度较高的无铅压电陶瓷(1-x)(K0.5Na0.5)(Nb0.96Sb0.04)O3-xLiTaO3(简记为KNNS-LT).所有的组分在MPB处都存在纯的钙钛矿结构,主要压电性能在MPB处达极大值,其机电耦合系数kp为40%,压电常数d33为225pC/N,居里温度Tc为355℃.
关键词:
无铅压电陶瓷
,
K0.5Na0.5NbO3(KNN)
,
准同型相界(MPB)
材料研究学报
用熔体Modified Brdgman法生长出尺寸直径40 mm长度80 mm的弛豫铁电单晶PMNT90/10,表明该方法不仅适合在准同型相界(MPB)附近生长PMNT单晶,也适合生长PT含量很低的PMNT单晶.在生长出的PMNT90/10晶体中,铁电相与顺电相两相共存,并呈现亚微畴结构特征.随着晶体组分由PMN组元变化到MPB组分附近,PMNT的电畴结构呈现微畴-亚微畴-不规则宏畴-规则宏畴演化系列,而介电弛豫特性则逐步弱化.PMNT固熔体的电学性能依赖于晶体组分,(001)切型PMNT90/10晶体的压电常数d33约80 pC/N,显著低于MPB附近组分,但其介电常数ε达到12600,明显高于后者.
关键词:
无机非金属材料
,
晶体生长
,
Bridgman法
,
Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3
,
弛豫铁电体
,
压电性能
陈焱
,
张孝文
稀有金属材料与工程
基于准同型相界(morphotropic phase boundary, MPB) 线性组合规律,研究Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3 -Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbTiO_3 (PMN-PZN-PT)三元系的MPB区域,并探求电学性能优越的组分.实验选取(1-x) (0.67 PMN- 0.33 PT)-x(0.91 PZN-0.09 PT) 系列中x=0～0.85的8个实验点;为减少焦绿石相的生成,陶瓷试样用铌铁矿预产物法合成,最终在1120～1160 ℃烧成.X射线衍射分析表明该系列试样均为钙钛矿结构,且处于四方与菱方两相共存态,验证了两个子二元系MPB组分的连线均为该三元系的MPB区域.少量的PZN-PT取代PMN-PT可以提高该三元系的电学性能;在x=0.1的组分获得该系列的最优性能:极值介电常数ε_(m,1 kHz)=28 030,剩余极化强度Pr=32.5 μC/cm~2,压电系数d_(33)=545 pC/N.
关键词:
准同型相界
,
PMN-PZN-PT
,
介电性能
,
铁电性能
,
压电性能
李月明
,
汪靓
,
江良
,
沈宗洋
,
王竹梅
,
洪燕
,
廖润华
硅酸盐通报
采用传统固相反应法制备了K0.49NaxNbO2(x=0.51～0.54)系无铅压电陶瓷,系统研究了Na过量对K0.49NaxNbO3陶瓷结构与压电、铁电性能的影响.研究结果表明:在研究的Na过量范围内,陶瓷样品具有单一的正交钙钛矿型晶体结构,但在x=0.52～0.53处晶格常数出现不连续的变化过程,表明该体系存在由两个不同正交晶相构成的准同型相界(MPB),在MPB区域边界x=0.52处陶瓷具有优异的性能:西d33=142 Pc/N,Qm=146,εr=462,tanδ=0.026,kp=0.39.
关键词:
铌酸钾钠
,
无铅压电陶瓷
,
压电性能
,
准同型相界
陈异
,
蓝德均
,
肖定全
,
朱建国
材料导报
(1-x)BiScO3-xPbTiO3(BSPT)是一种新型钙钛矿型结构的铁电体.BSPT体系在x=0.64附近有三方相和四方相的准同型相界(MPB).BSPT陶瓷的制备主要采用传统的电子陶瓷制备方法,包括常压法和高压法.BSPT陶瓷具有优良的介电和压电性能,居里温度Tc比Pb(Zr,Ti)O3(PZT)的高.综述了近年来对BSPT陶瓷的研究进展,重点介绍了邻近MPB的0.36BiScO3-0.64PbTiO3铁电陶瓷的性能.同时还介绍了掺杂对BSPT陶瓷的影响.
关键词:
BSPT
,
钙钛矿结构
,
准同型相界
杨森
,
周超
,
任晓兵
,
宋晓平
中国材料进展
doi:10.7502/j.issn.1674-3962.2016.06.06
磁致伸缩材料是制造换能器和传感器的重要磁性功能材料。此前，在铁电材料中，通过将材料成分控制在准同型相界，获得了大压电效应。因此根据铁磁与铁电材料表现出的物理效应的相似性，可以期待在铁磁材料中构建准同型相界，获得磁场导致的奇异应变特性。本文归纳了已发现的基于准同型相界而构建的Laves相稀土合金体系Tb1－x Dyx Co2， Tb1－x Gdx Co2和Tb1－xGdxFe2，总结了其磁致伸缩效应和其他物理性能与准同型相界的关系，3个体系在MPB处表现出3种不同的磁致伸缩效应： Tb1－xDyxCo2表现出大磁致伸缩、大磁导率， Tb1－xGdxCo2表现出弱磁致伸缩、大磁导率，而Tb1－xGdxFe2在MPB并没有发现特殊的效应。在铁电材料中，在MPB处各类场致应变效应都得到显著增强，因此铁磁材料与铁电材料的准同型相界效应还有显著不同，还需要更加深入的研究来揭示其作用机理。
关键词:
铁磁
,
准同型相界
,
磁致伸缩效应
,
相变
