使用扫描电镜和俄歇能谱仪研究了P在DD6单晶中的分布状态及其对DD6合金力学性能的影响.结果表明:P质量分数在0.1%以上时,在DD6单晶合金中形成了P偏聚区,P偏聚时吸引Cr、Mo和Nb等元素,排斥γ'的主形成元素Al,使界面附近γ'贫乏,形成γ'贫化区.P含量在0.01%时,在低温淬断的断口上检测到O、P和S等元素.P减弱合金中的界面结合强度;随着P含量增加,DD6合金的持久性能和抗拉伸性能下降.
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