魏雄邦
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蒋亚东
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吴志明
,
廖家轩
,
贾宇明
,
田忠
稀有金属材料与工程
在衬底上溅射沉积一层金属钒膜,然后对其退火制备氧化钒薄膜.研究了原位退火热处理和后续退火热处理对氧化钒薄膜成分及其热敏性能的影响.XPS分析表明,原位380 ℃退火处理得到的氧化钒薄膜中4价态和5价态钒的比例为1.097:1,经后续退火处理后,该比例变为0.53:1;同时,原位退火处理得到的氧化钒薄膜的V/O比为1:2.24,经后续退火处理变为1:2.33.AFM分析后显示,经后续退火处理的薄膜晶粒尺寸有所增大.测试了薄膜方阻随温度的变化,结果显示,生成的薄膜具有明显的金属-半导体相变;原位退火热处理后的薄膜方阻(R)为5.46 kΩ/□(25 ℃),方阻温度系数(TRC)为-1.5%/℃(25 ℃);后续退火热处理后,薄膜方阻增大到231 kΩ/□(25 ℃),方阻温度系数升高为-2.74%/℃(25 ℃).此外,就氧化钒薄膜的成分、热敏性能与退火处理之间的关系进行了讨论.
关键词:
氧化钒薄膜
,
退火
,
薄膜成分
,
热敏性能
魏雄邦
,
吴志明
,
王涛
,
蒋亚东
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00364
采用直流反应磁控溅射法, 在平整光滑的普通玻璃基片表面沉积了厚度分别为80nm、440nm和1μm的氧化钒薄膜. 采用原子力显微镜(AFM)、扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对薄膜的表面形貌、结构和结晶化的分析表明, 厚度影响着薄膜的颗粒大小和结晶状态, 随着薄膜厚度的增加, 薄膜的颗粒增大, 晶化增强; 薄膜具有明显的垂直于衬底表面的“柱”状择优生长特征. 对薄膜的方阻和方阻随温度的变化进行了相关分析, 证实了厚度对氧化钒薄膜的电学性能存在明显的影响, 随着薄膜厚度的增加, 薄膜的方阻减小, 方阻温度系数升高, 薄膜的方阻随温度变化的回线滞宽逐渐增大, 薄膜的金属-半导体相变逐渐趋于明显.
关键词:
氧化钒薄膜
,
glass
,
thickness
,
DC magnetron sputtering
李云龙
,
付花睿
,
张霄
,
周广迪
,
游才印
,
沈乾龙
金属功能材料
doi:10.13228/j.boyuan.issn1005-8192.2016081
采用直流反应磁控溅射法在不同氧分压气氛下制备了氧化钒薄膜,并进行后续真空退火处理.分别利用X-射线衍射仪,扫描电子显微镜和综合物性仪分析薄膜的相成分、表面形貌以及电性能.结果表明:随着氧分压的增加,450℃退火1h的薄膜逐渐由非晶态转变为VO2(M),VO2(M,B)和V6O13的混合结构,并且晶化程度逐渐提高.氧分压6.67％的薄膜相转变温度(TMST)接近52℃,SEM分析表明,微裂纹的存在为相转变时应力释放提供空间,降低了TMST.氧分压10％的薄膜具有-2.38 ％/K的电阻温度系数(TCR)值和1.67×104 Ω的室温电阻值,满足制备非致冷红外探测器的要求.
关键词:
氧化钒薄膜
,
相转变温度
,
电阻温度系数(TCR)
,
磁控溅射
