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不同压力条件下熔融硅除磷的效果及机理

张聪 , 谭毅 , 王强 , 顾正 , 徐强 , 董伟

机械工程材料

采用钨丝网发热体对工业硅进行高温熔炼,通过在真空条件和低压条件下的对比试验,研究了不同压力条件对磷去除效果的影响。结果表明:在1×10^-3~2×10^-2Pa的真空条件下熔炼时,磷含量随熔炼时间的延长而降低并在熔炼前期下降迅速;磷的去除反应为一阶反应式,活化能为102kJ·mol^-,随熔炼温度的升高去除速率加快,2.7ks时去除率超过80%;在2~6Pa的低压条件下熔炼时,磷的去除反应也可以用一阶反应式表示,但磷的去除速率受温度影响不明显,去除速率常数受环境压力影响比真空条件下的低;不同压力条件下熔炼时磷去除速率的控制步骤不同。

关键词: 太阳能级硅 , 真空熔炼 , 除磷 , 去除速率

Ti64合金的电子束冷床熔炼研究

张英明 , 周廉 , 孙军 , 韩明臣 , 杨建朝 , 赵永庆

稀有金属材料与工程

电子束冷床熔炼工艺作为一种新熔炼技术,可应用于生产航空发动机转动件用优质钛合金和回收残钛.利用500 kW电子束冷床熔炼设备,研究了熔炼速度与Ti64合金铸锭化学成分和TiN夹杂溶解速度的关系.熔炼速度分别为70,100,140 kg/h时,Al挥发损失分别为22%、16%、12%.经超声探伤,在熔炼电极中加入的TiN夹杂能够全部消除.所熔炼的铸锭外部是均匀的柱状晶粒,心部是细小的晶粒.

关键词: , 电子束冷床熔炼 , 铝挥发 , TiN夹杂 , 真空熔炼

高优值系数In4Se3多晶的制备及其热电输运特性

赵然 , 马立民 , 郭福 , 胡扬端瑞 , 舒雨田

无机材料学报 doi:10.15541/jim20140396

分别采用不同的熔炼、退火工艺,结合放电等离子烧结方法制备了块状多晶 In4Se3热电材料。研究了熔炼时间和退火时间对材料物相、成分、显微结构及热电性能的影响。熔炼后铸锭中存在In及InSe杂相, Se缺失量随熔炼时间的延长而增加,使得样品载流子浓度增大,电导率有所提高,熔炼48 h样品ZT值相对较高。在确定熔炼工艺的基础上,进行不同时间的退火处理后, InSe相消失,显微结构中分布有较大尺寸的台阶状结构,这种台阶状结构有利于降低热导率,而对电导率无明显影响。实验结果表明:一定程度延长熔炼时间、退火时间对提高样品的热电性能有积极作用,其中熔炼48 h再退火96 h后的样品ZT值最高,在702 K达到0.83,比文献值提高约32%。

关键词: In4Se3 , 热电性能 , 真空熔炼 , 退火

电子束蒸镀法制备CuIn0.7Ga0.3Se2薄膜太阳电池的性能

王星星 , 张福勤 , 周俊 , 郑吉祥 , 黎炳前 , 刘怡

中国有色金属学报

封装石英管真空熔炼合成CuIn0.7Ga0.3Se2(CIGS)块体,再采用电子束蒸镀此块体,制备用于太阳电池吸收层的CIGS薄膜,然后对薄膜进行不同温度的真空退火处理.分别采用XRD、EDS、SEM及光谱分析等方法,研究CIGS块体和退火薄膜的表面形貌、晶体结构、成分或者光电性能.结果表明:在1200℃、保温2h后,采用真空熔炼获得结晶性能较好、单一黄铜矿结构的CuIn0.7Ga0.3Se2块体.随着退火温度的升高,薄膜中In-Se杂质相分解,从而获得单一相的CIGS薄膜;并且颗粒不断长大,达到1.0~3.5 μm;成分和光学禁带不断得到优化.600℃退火薄膜是比较符合理想太阳电池要求的吸收层材料.

关键词: 太阳电池 , CuIn07Ga0.3Se2 , 真空熔炼 , 电子束蒸镀 , 退火处理

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