苏青峰
,
史伟民
,
王林军
,
李东敏
,
夏义本
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00261
超声波作用下, 采用热壁物理气相沉积法在相对较低温度下(<90℃)成功制备了(00l)取向多晶碘化汞膜, 分析了超声工艺对(00l)取向多晶碘化汞膜质量的影响. 采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、拉曼光谱仪(Raman)对(00l)取向多晶碘化汞膜进行了表征. 结果表明, 超声波作用下, 相对较低的生长温度能够获得高质量(00l)取向多晶碘化汞膜, 同时超声波工艺不仅能够明显改善多晶碘化汞厚膜的质量而且能提高生长速率.
关键词:
碘化汞膜
,
polycrystalline
,
physical vapor deposition
,
ultrasonicwave
