王玉乾王兵孟祥钦甘孔银
材料研究学报
采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术, 利用氩气、甲烷、二氧化碳混合气体, 制备出平均晶粒尺寸在7.480 nm左右、表面粗糙度在15.72 nm左右的高质量的超纳米金刚石薄膜; 在此工艺基础上以硼烷作为掺杂气体, 合成掺硼的金刚石薄膜. 表征结果显示在一定的浓度范围内随着硼烷气体的通入, 金刚石薄膜的晶粒尺寸及表面粗糙度增大、结晶性变好, 不再具有超纳米金刚石膜的显微结构和表面形态; 同时膜材的物相组成也发生改变, 金刚石组份逐渐增多, 并且膜层内出现了更明显的应力以及更好的导电性能.
关键词:
无机非金属材料
,
B-doping
,
ultrananocrystalline diamond film
,
CVD
王玉乾
,
王兵
,
孟祥钦
,
甘孔银
材料导报
采用微波等离子体化学气相沉积法,利用CH4、SiO2和Ar的混合气体在单晶硅片基底上制备出高质量的超纳米金刚石薄膜.表征结果显示,制备的薄膜致密而均匀,晶粒平均尺寸约7.47nm,表面粗糙度约15.72nm,并且其金刚石相的物相纯度相对较高,是质量优异的超纳米金刚石薄膜材料.
关键词:
微波等离子体
,
化学气相沉积
,
超纳米金刚石薄膜
