邓书康
,
申兰先
,
郝瑞亭
,
田晶
,
杨培志
人工晶体学报
用熔融法结合放电等离子体烧结技术,采用Zn掺杂制备了具有半导体传导特性的n型Ba_8Ga_(16-x)Zn_xGe_(30) I-型笼合物,研究了Zn部分置换Ga对化合物电传输特性的影响.研究表明所制备的化合物为单相的具有空间群Pm3-n的I-型笼合物.Zn掺杂前对应化合物表现为金属传导特性,Zn掺杂后对应化合物表现为典型的杂质半导体传导特性.室温下,随Zn掺杂量的增加,化合物的载流子浓度和载流子有效质量逐渐降低;Zn掺杂对室温载流子迁移率无明显影响.在300～900 K温度范围内,随Zn掺杂量的增加对应化合物的电导率逐渐降低,Seebeck系数逐渐增加.Zn掺杂后对应化合物的功率因子与掺杂前相比有所降低,且达到最大值的温度都向低温方向偏移.
关键词:
I-型笼合物
,
热电材料
,
电传输特性
刘丽华
,
宋奔升
,
栗峰
,
王镇
,
潘浩瀚
,
李阳
无机材料学报
doi:10.15541/jim20140403
采用电弧炉熔炼、球磨、放电等离子烧结的方法合成了系列第 I 类笼状化合物 Ba8Ga15XSi30(X=Ga、Zn、Cu)。研究了Zn、Cu对Ga的替代对材料结构以及热电性能的影响。结果表明,相比于Ba8Ga16Si30, Zn、Cu的掺杂使得样品的晶格常数减小,热导率降低, Seebeck系数的绝对值增大,ZT值有明显的升高。
关键词:
I类笼状化合物
,
晶格常数
,
热电性能
