李伟文
,
赵新兵
,
朱铁军
,
曹高劭
稀有金属材料与工程
采用真空悬浮熔炼和真空退火方法制备了Fe1-xCoxSi2-0.1at%Cu热电材料.试样的微观组织中包含大量尺寸在1μm左右的小孔和一些裂纹.输运特性测量结果表明,550K时掺杂载流子的热激发达到饱和,700K以上发生本征激发现象.实验发现Co的最佳掺杂量为1at%左右,名义组成为Fe0.97Go0.03Si2-0.1at%Cu的试样的热电性能最好.
关键词:
热电材料
,
输运特性
,
功率因子
,
微观组织
王晓伟
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胡慧芳
,
张照锦
,
程彩萍
材料导报
运用第一性原理的密度泛函理论,结合非平衡格林函数,研究了边缘裁剪对Zigzag石墨纳米带(ZGNRs)的电子结构与输运性能的影响.计算结果表明,对Zigzag石墨纳米带边缘的裁剪显著影响了体系的电子输运性能.其中,边缘裁剪使得金属型石墨纳米带的能隙打开,而且随着结构中的Zigzag边缘长度减少,能隙逐渐增大,使得体系由金属型向半导体型转变;同时,边缘裁剪使Zigzag金属型石墨烯纳米带的输运性能降低,电流-电压呈非线性变化,尤其对于M3体系而言,边缘的裁剪使体系表现出很好的开关特性.
关键词:
石墨烯
,
边缘裁剪
,
电子性质
,
输运性能
郝会颖
,
李伟民
,
曾湘波
,
孔光临
,
廖显伯
功能材料
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积（VHF-PECVD）法,成功制备出一系列从非晶到微晶过渡区域的硅薄膜。研究了气体压强对样品的微结构、光电特性、输运性质以及沉积速率的调控作用。结果表明,增大沉积气压可以提高材料的光敏性及沉积速率,但材料的结构有序度以及输运特性变差。
关键词:
相变域硅薄膜
,
微结构
,
光电特性
,
输运特性
朱明康
,
董显林
,
陈莹
,
丁国际
,
王根水
无机材料学报
doi:10.15541/jim20160190
采用射频磁控溅射法在单晶SrTiO3 (STO)衬底和硅(Si)衬底上制备出不同取向的SrRuO3 (SRO)薄膜,对薄膜的残余应力进行了分析,并研究了应力对不同取向SRO薄膜磁学性能与电输运特性的影响.根据X射线衍射(XRD)结果分析可知,Si基SRO薄膜为多晶单轴取向薄膜,且应力来源主要为热失配拉应力;STO基SRO薄膜为外延薄膜,其应力主要为热失配压应力和外延压应力;磁学性能测试表明,(001)取向SRO薄膜比(110)取向薄膜拥有更高的居里温度TC;压应力提高了(001)取向SRO薄膜的TC,却降低了(110)取向薄膜的TC.电阻性能测试表明,对于在同种类型衬底上沉积的SRO薄膜,(001)取向的薄膜的剩余表面电阻比(RRR)高于(110)取向的薄膜.另外,拉应力引起了薄膜微结构的无序度增加,弱化了表面电阻率的温度依赖性,提高了金属绝缘体转变温度(TMI).
关键词:
钌酸锶
,
取向
,
残余应力
,
磁学性能
,
电输运特性
方运
,
谭世勇
,
赖新春
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.017.004
FeSe及其相关化合物的高温超导性引起了凝聚态物理研究人员的广泛关注。在所有铁基超导体中， FeSe的成分和晶体结构最为简单，只存在铁基超导体最基本的结构单元FeSe层。FeSe超导体具有特殊的电子结构和物理特性，是铁基高温超导机制研究的理想平台。2012年，薛其坤组在SrTiO3（STO）衬底表面采用分子束外延（MBE）法生长了单层FeSe薄膜，发现该体系的超导转变温度（TC ）有接近80 K的迹象，引起人们的广泛关注。先简要地介绍了FeSe晶体，FeSe／石墨烯薄膜的超导特性，再详细介绍了 FeSe／SrTiO3高温超导薄膜的输运性质、超导特性、电子结构以及可能影响单层FeSe／SrTiO3薄膜高温超导的几个因素。
关键词:
铁基超导体
,
FeSe薄膜
,
电子结构
,
输运性质
张敏
,
魏占涛
,
羊新胜
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2017.01.009
主要研究了Bi1．85 In0．15 Se3的晶体结构、微观形貌及电输运性能.样品具有六方层状结构,形成的晶体易解理.样品的电阻率曲线在低温区域出现了金属-绝缘体转变行为.拟合结果表明,在低温下电子-电子散射和Mott变程跃迁模式共存,Mott变程跃迁模式在低温下对电阻率贡献作用的增大,导致金属-绝缘体转变的出现；而在高温区域,声子散射及电离杂质散射对载流子的作用共存.当施加外加磁场时,样品出现了与纯Bi2 Se3相反的负磁电阻效应.这种反常的磁电阻行为可能跟由洛仑兹力导致的正磁电阻与自旋无序电阻率减小引起的负磁电阻之间的竞争作用有关.
关键词:
Bi1.85 In0.15 Se3
,
单晶
,
输运性能
,
负磁电阻效应
谢东华
,
赖新春
,
谭世勇
,
张文
,
刘毅
,
冯卫
,
张云
,
刘琴
,
朱燮刚
稀有金属
采用Sb自助熔剂法成功生长高质量的USb2单晶,并研究了磁化率、电阻、磁阻和比热容等性质.研究表明,中等关联强度的USb2中的5f电子具有巡游和局域双重特征.USb2中的5f电子在260 K附近开始发生相干,203 K由顺磁态转变为反铁磁态,进行费米面的重构.在113 K以下局域的5f电子与传导电子发生第一次杂化使费米面附近电子结构发生变化.在54 K以下通过第二次杂化使得费米面附近形成了杂化能隙.在更低温度下晶体场效应对物理性质也产生了一定的影响.
关键词:
USb2
,
助熔剂法
,
磁化率
,
输运性质
张文彩
,
张鑫
,
张爱梅
中国稀土学报
doi:10.11785/S1000-4343.20170310
采用固相反应法制备了La空位La1-xMnO3+δ(0.04,0.1,0.15,0.2)多晶样品,利用X射线衍射(XRD)与拉曼光谱(Rainan)技术相结合研究了微观晶体结构对电输运性质的调控.X射线衍射结果表明,所有样品都具有菱方结构,空间群为R3C.Raman光谱研究表明每种样品在490和620 cm-都观察到比较明显的声子振动峰,分别对应MnO6八面体的反对称伸缩振动模式和对称振动模式.随着La空位的增加和温度的降低,反对称振动模式峰均出现硬化现象,表明晶格轨道-自旋-声子(OSP)耦合作用的增强及Jahn-Teller畸变加剧.电输运性质研究发现,随着La空位浓度的增加,金属绝缘体转变温度降低,磁电阻效应减小.研究结果表明La空位导致OSP耦合作用增强,Jahn-Teller畸变加剧,致使La1-xMnO3+δ导电性变差.
关键词:
Jahn-Teller畸变
,
Raman光谱
,
输运性质
,
稀土
郑旭
,
张晋敏
,
熊锡成
,
张立敏
,
赵清壮
,
谢泉
功能材料
采用直流磁控溅射和真空退火方法制备β-FeSi2/Si异质结,首先在n型Si（100）衬底上沉积Fe膜,经真空退火形成β-FeSi2/Si异质结,Fe膜厚度约238nm,退火后形成的β-FeSi2薄膜厚度约为720nm。利用XRD、SEM和红外光谱仪分别研究了β-FeSi2薄膜的晶体结构、表面形貌和光学性质。霍尔效应结果表明,制备的β-FeSi2薄膜为n型导电,载流子浓度为9.51×1015cm-3,电子迁移率为380cm2/（V.s）。
关键词:
磁控溅射
,
β-FeSi2/Si异质结
,
输运性质
