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In掺杂对化学共沉淀法合成的SnO_2粉体Zeta电位的影响

胡学兵 , 周健儿 , 徐小勇 , 汪永清 , 张小珍

人工晶体学报

以四氯化锡、三氯化铟和氨水为原料,采用化学共沉淀法制备了In掺杂SnO_2粉体.实验采用XRD和Zeta电位分析仪对In掺杂SnO_2粉体的物化性能进行了研究.结果表明:当In掺杂浓度为2 mol%时,掺杂SnO_2粉体具有较低的Zeta电位.相对于纯SnO_2粉体,In掺杂改变了SnO_2的晶胞参数并增大了其晶胞体积.

关键词: SnO_2粉体 , In掺杂 , Zeta电位 , 晶胞体积