李娟利
,
李建
,
杜渭松
,
骆伟
,
甘宁
,
邓登
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.02.002
低阈值TFT液晶材料广泛应用于小尺寸液晶显示器.将CGUF、PGUF和PUQUF 3个系列高介电各向异性液晶单体分别添加到基础配方P0,配制了2个系列混合液晶,考察不同单体对配方性能的影响规律.结果表明,添加相同比例的PUQUF系列单体对增大配方的介电各向异性和降低配方的阈值电压最有效;添加相同比例的PGUF系列单体可显著增大配方的双折射率和缩短响应时间.
关键词:
混合液晶
,
配方
,
双折射率
,
介电各向异性
,
阈值电压
,
响应时间
赵东宇
,
邓思妍
,
康建新
,
王茜
,
许丽红
,
郭林
,
杨槐
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153002.0208
为了降低液晶显示器(LCD)的能耗,制备了 Ag 纳米线-液晶复合材料.用不同浓度的直径约为50 nm 的 Ag 纳米线掺杂在液晶中,制备了扭曲向列相液晶显示(TN)模式液晶盒,研究了 Ag 纳米线对 TN 显示模式液晶盒的驱动电压、开态响应时间以及频率调制特性的影响.液晶电-光性能的研究结果表明,Ag 纳米线的加入能显著降低 TN 显示模式液晶盒的驱动电压,最大降幅可达14％；但液晶盒的响应时间在掺杂 Ag 纳米线掺杂后有一定程度的增加.此外,Ag纳米线掺杂的液晶显示出很强的频率调制特性.Ag 纳米线的掺杂可以有效改善 TN 显示模式液晶的电-光性能.
关键词:
液晶显示
,
Ag纳米线
,
阈值电压
,
响应时间
,
频率调制
蒋圣评
,
李承璋
,
赖威宏
,
赵宏昌
,
陈君维
,
林宗贤
,
洪子圣
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20163102.0125
聚合物分散型液晶组件技术是市面上常用的散射式光开关系统,且常常应用于具隐私保护性之电控切换窗户中.然而对于室外的应用,属于有机高分子材料的液晶材料与聚合物结构对于照射紫外光之稳定性与耐受性值得被讨论,尤其是较少被讨论之高分子聚合物结构的影响.本研究主要探讨不同聚合物结构之聚合物分散型液晶组件在紫外光照射下光电特性的变化,期待可以了解聚合物结构特性随曝光时间的变化并提出适当之改善方法.本实验藉由选择具有高紫外光稳定性之主体液晶搭配紫外固化胶调配聚合物分散型液晶预聚物,分别探讨不同固化胶比例与光强度等固化条件下,组件照射紫外光后对于光电特性造成的影响,以此了解各种聚合物形貌照射紫外光后之光电特性变化.实验结果显示,照射紫外光后,各种聚合物分散型液晶组件之临界电压仅仅些微提升,但下降时间剧烈地提高,以聚合物比例35％、固化强度2 mW/cm2为例,临界电压从15.57 V些微提升至18.18 V,下降时间从195.12 ms大幅提升至925.26ms.此外,本研究亦发现相对于照射前,照射紫外光后之组件的下降时间对于电压施加时间长短相当敏感,且此现象可藉由调整固化光强度与固化胶浓度有抑制之趋势.本研究呈现了各种聚合物分散型液晶组件在照射紫外光后光电特性的变化,并了解聚合物结构的特性变化的影响.
关键词:
聚合物分散型液晶组件
,
紫外光稳定性
,
临界电压
,
反应时间
袁瑞
,
封贺
,
邢红玉
,
叶文江
,
项颖
,
井红珍
,
徐鸣亚
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20163109.0870
弯曲芯型向列相(BCN)液晶在一定的低频电压和温度下会产生挠曲电畴,出现明暗相间的周期结构。本文使用偏光显微镜(BX-51)和电荷耦合元件(CCD)探测了BCN中挠曲电畴的周期大小变化与电压及温度的关系,并使用光学衍射技术对该周期结构进行了验证。实验结果表明：温度达到95℃,并且外加电压达到25 V时,BCN 液晶的挠曲电畴条纹结构首次出现。在温度一定的条件下,畴的周期随外加电压的增大而逐渐减小；而电压一定的条件下,周期结构的对比度随温度的升高逐渐变得模糊,必须增大外加电压才能使模糊的周期结构重新变得清晰。本研究对探索 BCN 液晶在液晶光栅领域的应用与发展具有一定的指导意义。
关键词:
BCN液晶
,
挠曲电畴
,
阈值电压
,
液晶光栅
高锦成
,
李正亮
,
曹占锋
,
姚琪
,
关峰
,
惠官宝
硅酸盐通报
为优化金属氧化物薄膜晶体管（ IGZO-TFT）的特性，采用射频磁控溅射法沉积IGZO薄膜作为半导体活性层，制备出具有刻蚀阻挡层（ Etch stop layer ，ESL）结构的IGZO TFT，在2．5 G试验线上研究了IGZO沉积过程中O2浓度、IGZO沉积后N2 O等离子体处理、ESL的制备温度和ESL沉积过程中N2 O／SiH4的比例等关键工艺条件对IGZO TFT的阈值电压（ Vth ）的影响。实验结果表明：IGZO沉积过程中O2浓度的增加、IGZO沉积后N2 O等离子体处理和ESL制备温度的降低会导致IGZO TFT的Vth正偏移。
关键词:
铟镓锌氧化物薄膜晶体管
,
刻蚀阻挡层
,
N2 O等离子体
,
阈值电压
