高丽丽
,
徐莹
,
张淼
,
张跃林
,
姚斌
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142903.0350
利用射频磁控溅射技术,高纯的氩气作为溅射气体,分别选用不同Mg含量的MgxZn1-xO陶瓷靶材,在石英衬底上生长六角纤锌矿结构的MgxZn1-xO薄膜,并对薄膜进行了后期热退火处理.研究了Mg含量对MgxZn1-xO薄膜光学性质的影响.实验结果显示,随着Mg含量的增加,薄膜的带隙变宽;光致发光光谱中近带边发射中心蓝移,近带边紫外发射与可见光区深能级发射强度比值减小,发光质量下降;拉曼光谱仍然保持着ZnO的拉曼振动模式,但随着Mg含量的增加,E2high振动峰逐渐展宽,峰型对称性变差.分析表明,随着Mg的合金化,薄膜中产生了更多的杂质缺陷,结晶质量下降.
关键词:
射频磁控溅射
,
MgZnO薄膜
,
Mg含量
,
光学性能
高丽丽
,
刘军胜
,
张淼
,
张跃林
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142904.0499
利用磁控溅射设备,Mg0.04Zn0.96O陶瓷靶材,以高纯的氮气与氩气混合气体作为溅射气体,在石英衬底上沉积获得了N掺杂p型Mg0.07Zn0.93O薄膜,薄膜的电阻率为21.47 Ω·cm,载流子浓度为8.38×1016 cm 3,迁移率为3.45 cm2/(V·s).研究了该薄膜的结构与光学性能.实验结果显示,其拉曼光谱中出现了位于272和642 cm 1左右与No相关的振动模.低温光致发光光谱中,可以观察到位于3.201,3.384和3.469 eV的3个发光峰,其中位于3.384 eV的发光峰归因为导带电子到缺陷能级的复合发光,而位于3.469 eV的发光峰归因为受主束缚激子(A0X)的辐射复合,这说明该N掺杂MgZnO薄膜的空穴载流子主要来自No受主的贡献.
关键词:
射频磁控溅射
,
MgZnO薄膜
,
N掺杂
,
p型
高丽丽
,
李淞菲
,
曹天福
,
张雪
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20153006.0925
利用磁控溅射技术,以 Mg0.06 Zn0.94 O 为陶瓷靶材,制备了 N 掺杂 p 型 Mg0.13 Zn0.87 O 薄膜,薄膜的电阻率为42.45Ω·cm,载流子浓度为3.70×1017/cm3,迁移率为0.40 cm2·V-1·s-1。研究了该薄膜 p 型导电性质在室温空气下随时间的变化情况。实验结果表明,薄膜的电阻率逐渐升高,载流子浓度降低,五个月以后,薄膜转变为 n 型导电,电阻率为85.58Ω·cm,载流子浓度为4.53×1016/cm3,迁移率为1.61 cm2·V-1·s-1。真空热退火后重新转变为 p 型。结果显示,其 p 型导电类型的转变与在空气中吸附 H 2 O 或 H 2等形成浅施主有关。
关键词:
射频磁控溅射
,
MgZnO 薄膜
,
p 型
,
稳定性
