周宏明
,
简帅
,
李荐
表面技术
doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2017.03.024
目的 厚膜电阻在电热膜方面的应用越来越广,而对于多孔陶瓷基体表面的厚膜电阻抗氧化性能的研究尚不多见.方法 通过恒温氧化实验研究了TiB2掺杂对不锈钢厚膜电阻在400、500、600、700℃下抗氧化性能的影响,采用XRD、SEM和EDS等方法分析了未掺杂及TiB2掺杂两种厚膜电阻的相组成和显微组织.结果 两种厚膜电阻的氧化动力学曲线均符合类抛物线模型,即(△w)n=kt.在400℃下,两种厚膜电阻的指数n均为4,掺杂TiB2电阻膜的氧化速率常数K1为1955.8 g4/(m8·h),而未掺杂TiB2电阻膜的氧化速率常数K2为4694.9 g4/(m8·h),这是由于掺杂TiB2厚膜电阻的致密度较高,使得厚膜电阻的抗氧化性能得以提高.高于500℃时,两种厚膜电阻的指数n均为2,掺杂TiB2厚膜电阻的氧化速率常数大于未掺杂厚膜电阻.这是由于TiB2氧化致使膜层内部出现间隙,膜层内部氧化严重(氧化产物主要为TiO2、B2O3、Fe2O3以及(Fe0.6Cr0.4)2O3),厚膜电阻抗氧化性能降低.结论 不锈钢厚膜电阻中掺杂TiB2可在400℃下提高膜层的抗氧化性能,而在500℃以上的高温环境下却有损于膜层的抗氧化性能.
关键词:
TiB2
,
316L不锈钢
,
多孔陶瓷
,
厚膜电阻
,
抗氧化性能
