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激光区熔Bi系超导复合带组织特征

葛云龙 , 刘清民 , 金华 , 刘传胜 , 胡壮麒

材料研究学报

在Ag 基带上非平衡凝固熔敷超导厚膜,用激光区熔法制备组织致密、有明显织构取向、与基材结合牢固的柔性Bi 系超导复合带材。研究了该超导材料的定向结晶特征、凝固表面和内层组织形态、相分布与组成及超导层同基材的结合。此法开辟了制备高J_c 实用超导带材的新途径。

关键词: 激光区熔 , thick film , textured composite tape

低氟MOD法银修饰YGdBCO多层厚膜的制备

韩修林 , 孙梅娟 , 刘志勇 , 白传易 , 蔡传兵

低温物理学报

采用低氟MOD法在氧化物缓冲层哈氏合金基底上制备了不同结构的YGdBCO多层膜.分析研究了有银修饰与无银修饰YGdBCO多层膜的微结构与性能,对比研究了银修饰在多层膜结构中的作用.XRD与SEM结果表明银修饰改变了YGdBCO生长的热力学参数,使得YGdBCO具有更好的c轴织构度,更为平整致密的表面形貌,并最终提高了YGdBCO的超导性能.为了进一步理解银修饰的作用,用经典成核理论分析了YGdBCO成核过程,按照经典成核理论a轴成核与c轴成核的竞争主要取决于过饱和度,银修饰可能降低了YGdBCO的过饱和度,因而扩大了YGdBCOc轴成核的窗口.

关键词: MOD , 多层 , 厚膜 , YGdBCO , Ag

基于溶胶-凝胶的两种旋涂方法制备PZT厚膜

段中夏 , 赵全亮 , 刘红梅 , 曹茂盛

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.03.012

采用溶胶-凝胶法,研究了两种在Au/Cr/SiO2/Si基底上沉积PZT(Pb(Zr0.52Ti0.48)O3)厚膜的方法.把与PZT澄清溶胶成分相同的PZT纳米粉混入澄清PZT溶胶,然后超声混合形成PZT浆料,PZT纳米粉的粒径为50～100nm.XRD分析表明两种方法得到的PZT厚膜都获得了单相钙钛矿结构.SEM结果显示两种厚膜厚度大约4μm,第一种旋涂方法制得的PZT厚膜表面粗糙,第二种旋涂方法制得的厚膜表面致密,无裂纹.在1 kHz的测试频率下,第一种和第二种厚膜的矫顽场分别为30 kV/cm和50 kV/cm,饱和极化分别为45 μC/cm2和54 μC/cm2,剩余极化分别为25μC/cm2 and 30μC/cm2.第二种厚膜有较高的直流耐压性能,在300 kV/cm的电场下,仍然保持较好的铁电性能.因而,第二种旋涂方法能够改善PZT厚膜的表面形貌和铁电性能.

关键词: PZT , 厚膜 , 溶胶-凝胶 , 旋涂

SnO2气敏元件烧结工艺与电性能关系的复阻抗分析

傅刚 , 陈志雄 , 张进修

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2000.05.009

采用平面丝网印刷工艺制备SnO2厚膜气敏试样，分别在不同烧结温度和保温时间下于空气中烧成，测量试样的灵敏度和稳定性，并通过复阻抗分析方法，研究SnO2气敏元件烧结工艺和电性能的关系，探讨烧结工艺对敏感材料微结构的影响．结果表明，适当调整烧结工艺参数可以使元件既有较高的气体灵敏度又有良好的长期稳定性；复阻抗分析表明, 随保温时间延长, 试样的电阻--电抗曲线半圆弧的弥散角逐渐减小至零, 说明适当延长保温时间使晶粒间界处的弛豫时间分布趋向一致，晶界处晶粒的接触形态以及开口气孔和缺陷的分布等更趋均一和稳定．

关键词: SnO2气敏元件 , 厚膜 , 烧结温度 , 保温时间 , 复阻抗分析

一种高迁移率聚合物太阳能电池材料的合成及其器件表征

杨大磊 , 李泽林 , 赵晓礼 , 孙昭艳 , 杨小牛

应用化学 doi:10.11944/j.issn.1000-0518.2016.12.160343

设计合成了一种中等带隙共轭聚合物，聚[ N-（2-己基癸基）-2，2′-二噻吩-3，3′-二甲酰亚胺-交替共聚-5，5-（2，5-双（3-癸氧基噻吩）-2-噻吩基）-噻吩）]（PBTI3T-O），其光谱吸收覆盖波长从400 nm到720 nm，具有较宽的吸收范围，同时易溶于氯苯溶剂，利于溶液加工。 PBTI3T-O与[6，6]-苯基-C71-丁酸异甲酯（ PC71 BM）复合薄膜的空穴迁移率为5.90×10－3 cm2／（ V· s ），该迁移率高于其它大部分聚合物电池给体材料。由于PBTI3T-O较高的空穴迁移率，基于 PBTI3T-O／PC71 BM 的器件在活性层厚度为237 nm 时，效率可以达到5.56％。即使活性层膜厚进一步增加到约300 nm时，器件的效率仍能够保持其最高器件效率的97％，可见其具有在大面积加工工艺中的应用潜力。

关键词: 聚合物太阳能电池 , D-A型共聚物 , 活性层 , 厚膜

低氟MOD法制备Zr掺杂YBCO厚膜的性能研究

仪宁 , 索红莉 , 刘敏 , 马麟 , 徐燕 , 李春燕 , 王田田

人工晶体学报

提高膜厚是一种常用的提高YBCO涂层超导体导电能力的方法.如何在提高膜厚的基础上抑制薄膜的临界电流密度(Jc)在外场下的迅速下降是实现YBCO涂层导体产业化的关键.本文选用高钉扎效果的Zr掺杂YBCO复合薄膜进行膜厚和性能关系的研究,在LaAlO3基底上分别通过单次、两次、三次和四次涂覆制备了膜厚分别达200nm(单层膜)、400nm(双层膜)、600nm(三层膜)和800nm(四层膜)的Zr/YBCO复合薄膜,并详细研究了Zr/YBCO复合薄膜在不同膜厚下的微观结构、表面形貌以及超导性能.研究发现,低氟MOD法在重复涂覆制备厚膜的过程中大大节省了时间,提高了制备效率.此外,通过研究YBCO复合膜的厚度和临界电流的关系,得出如下结果:在厚度不超过600 nm的前提下,随着复合膜厚度的增大,其临界电流保持逐渐增加的趋势.其中,单层薄膜的上值最大,达到了3.34 MA/cm2;三层膜的Jc值达到了1.91 MA/cm2,其Ec值最大,达到了每厘米带宽114.6 A.

关键词: YBCO , 低氟MOD , 厚膜 , 高温超导 , 涂层导体

Ba(Zr0.15Ti0.85)O3厚膜的介电与铁电性能研究

张营堂 , 闫欠

无机材料学报 doi:10.15541/jim20150023

本研究采用流延法制备Ba(Zr0.15Ti0.85)O3(BZT)厚膜样品.采用扫描电子显微镜分析样品形貌;采用LCR测试仪和Sawyer-Tower电路法测量样品的介电与铁电性能.结果表明,BZT厚膜具有明显的介电弛豫特征,击穿电场强度可达60 kV/cm以上,饱和极化强度可达58.1 μC/cm2,剩余极化强度(Pr)为20.9μC/cm2.

关键词: BZT , 厚膜 , 介电弛豫

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