李明华
,
李伟
,
滕蛟
,
于广华
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.18.009
采用磁控溅射制备了 NiFeCr (4.5nm)/NiFe(10nm)/MgO(4.0nm)/Ta(5.0nm)薄膜,并对薄膜进行真空磁场退火。退火后薄膜磁电阻变化率显著提高,400℃退火后达到3.02%,之后随着退火温度的升高,磁电阻变化率下降。XRD 结果表明,薄膜不仅具有很强的 NiFe(111)织构,同时还出现了 MgO 的(111)衍射峰。随退火温度的升高,MgO(111)衍射峰的强度有所降低。
关键词:
MgO
,
NiFeCr
,
各向异性磁电阻
,
退火
