马继奎
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陈明敬
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王涛
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王鹏杰
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张东升
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安海娇
材料导报
用化学腐蚀方法织构多晶硅片表面,通过调整制程参数获得腐蚀温度分别为12℃、17℃、22℃、29℃的4组样品,利用扫描电子显微镜(SEM)分析化学腐蚀后多晶硅片表面状态,通过反射谱的测试,分析了多晶硅片表面陷光效果,研究腐蚀温度与后续各制程参数的关系.结果表明:随着腐蚀温度的升高,绒面反射率、镀膜膜厚逐渐升高,开路电压、填充因子逐渐增大,短路电流逐渐减小,最终确定了最佳的腐蚀温度.
关键词:
多晶硅
,
酸溶液腐蚀
,
表面织构化
,
腐蚀温度
,
电性能参数
种法力
表面技术
目的：研究酸(HF 和 HNO3)、碱(NaOH)腐蚀液对晶体硅制绒的影响。方法通过改变 NaOH浓度、异丙醇浓度、腐蚀时间研究单晶硅片腐蚀,通过改变酸溶液浓度比研究多晶硅片腐蚀,通过分析微观形貌及表面反射率等考察制备晶体硅制绒工艺参数。结果单晶硅最佳的腐蚀液配比为：NaOH 质量浓度15 g / L,热碱温度80℃,异丙醇体积分数15%~20%,腐蚀时间10 min。在最优化参数下,晶体硅绒表面金字塔大小均匀,高度约为5μm,相邻金字塔间彼此相连,硅表面反射率降低至15%。在 V(HF)：V(HNO3)： V(CH3 COOH)=10：1：10,腐蚀速率为2μm/ min 时,晶体硅绒表面呈现较好的沟壑状绒面结构。结论溶液酸碱性的强弱和异丙醇对晶体硅制绒有较大影响,并且直接影响晶体硅的表面反射率。
关键词:
单晶硅
,
制绒
,
反射率
