李月明
,
黄丹
,
廖润华
,
王进松
,
江向平
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.05.004
以熔盐法制备的片状SrBi_2Nb2_O_9晶体为模板剂,采用模板晶粒生长技术和流延法制备了Sr-Bi_2Nb_2O_9织构陶瓷,研究了模板含量对SrBi_2Nb_2O_9织构陶瓷烧结行为、织构度、显微结构的影响.结果表明:模板含量为10 wt%时,1200 ℃保温2 h烧结可获得体积密度最大的SrBi_2Nb_2O_9织构陶瓷,模板含量继续增加,体积密度降低;织构陶瓷的晶粒尺寸随模板含量的增加而逐渐增大,且晶粒取向性生长趋于明显,当模板含量为10 wt%时,织构化SrBi_2Nb_2O_9陶瓷的晶粒取向率f达到最大值,为0.81;织构化陶瓷的压电常数d_(33)达到13 pC/N,高于固相法制备的陶瓷的压电常数.
关键词:
模板晶粒生长法
,
铌酸锶铋陶瓷
,
织构陶瓷
,
流延法
李月明
,
谢俊
,
洪燕
,
王竹梅
,
沈宗洋
,
谢志翔
人工晶体学报
以熔盐法制备的K4Nb6O17片状粉体为前驱体,通过质子取代法制备了片状Nb2O5粉体,并且以其为模板结合模板晶粒生长(TGG)技术制备出较高织构度的X0.5Na0.5NbO3 (KNN)织构化无铅压电陶瓷,研究了不同工艺参数(模板含量、烧结温度和保温时间)对KNN织构化陶瓷的显微结构、介电性能以及压电性能的影响规律.研究结果表明:当模板含量、烧成温度和保温时间分别为10wt％,1120℃和5h时,可以获得织构度f为0.78的KNN织构化无铅压电陶瓷,并具有优异的压电和介电性能:平行于流延方向压电常数d33=141 pC/N,介电常数ε3T/ε0=503和平面机电耦合系数kp=39.7％;垂直于流延方向d33=112 pC/N,εT33/ε0=454和kp=37.5％.
关键词:
铌酸钾钠
,
TGG法
,
织构化陶瓷
,
片状Nb2O5模板
李金锦
,
高峰
,
黄茜茜
,
刘亮亮
,
李志强
人工晶体学报
以片状的SrTiO3(ST)粉体为模板晶粒,以固相法合成的掺杂Bi2O3的SrTiO3粉体为基体粉料,采用反应模板晶粒生长法(RTGG)结合流延成型工艺制备出SrTiO3织构陶瓷,研究了烧结工艺参数对SrTiO3织构陶瓷显微组织结构和介电性能的影响规律.研究结果表明:SrTiO3织构陶瓷的晶粒沿(100)晶面择优取向生长,陶瓷的织构度随着烧结温度的升高和保温时间的延长而增大,在1550℃下保温16 h的陶瓷试样织构度最大,达到0.56.SrTiO3织构陶瓷的介电常数随着织构度的增加而增大,并呈现出介电各向异性.
关键词:
钛酸锶
,
织构陶瓷
,
反应模板晶粒生长法
,
显微组织结构
,
介电性能
