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流延法制备铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的性能研究

刘奕君 , 李月明 , 沈宗洋 , 王竹梅 , 廖润华 , 洪燕

人工晶体学报

通过流延成型技术,以片状K0.5Na0.5NbO3(简称为KNN)粉体为模板,结合掺杂改性后的基料粉体(K0.45Na0.55)0.98Li0.02(Nb0.77Ta0.18Sb0.05)O3-0.005BaZrO3(简称为KNNLST-BZ)流延制备出KNN基无铅压电陶瓷,研究了不同的工艺参数(烧结温度、烧结次数)对于KNNLST-BZ织构化陶瓷的电学性能、显微结构的影响.结果表明:模板含量为20wt%的KNNLST-BZ织构化陶瓷在1145℃下保温2h呈现出优异的性能:压电常数d33=204 pC/N,横向机电耦合系数k31=23%,剩余极化强度Pr=26 μC/cm2,矫顽场Ee=1.2 kV/mm.同时该织构化陶瓷在1145℃下烧结2次能得到更优的电学性能:d33 =248 pC/N,k31=32.54%,Pr=38 μC/cm2,Ec=1.2 kV/mm,介电损耗tanδ=6.38%,机械品质因数Qm=16.76,介电常数εT33/ε0=913.7,横向伸缩振动频率常数N1=2244.

关键词: 无铅压电陶瓷 , 铌酸钾钠 , 流延成型 , K0.5Na0.5NbO3

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