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晶体硅电池表面钝化的研究进展

杜文龙 , 刘永生 , 司晓东 , 雷伟 , 徐娟 , 郭保智 , 林佳 , 彭麟

材料科学与工程学报 doi:10.14136/j.cnki.issn.1673-2812.2015.04.029

随着晶体硅太阳电池技术的不断发展,硅片的厚度不断降低,电池表面钝化对提高太阳能电池转化效率变得尤为重要.本文介绍了表面钝化膜在晶体硅太阳电池中的应用,以及几种晶体硅电池表面钝化方法,包括等离子体增强化学气相沉积法、氢化非晶硅、热氧化法、原子层沉积法以及叠层钝化,并分别介绍了它们在应用上的优缺点.分析了制备钝化膜过程中存在的问题,并提出了相应措施及发展趋势.表面钝化技术是提高晶体硅电池转换效率最有效的手段之一,今后晶体硅电池表面钝化技术仍将是国内和国际研究的热点之一.

关键词: 太阳电池 , 表面钝化 , 转化效率 , 钝化膜

基于先进等离子体的低温钝化氮化硅薄膜的研究

周晶晶 , 肖少庆 , 姚尧 , 顾晓峰

人工晶体学报

本文利用容性放电模式(E-mode)的电感耦合等离子体(ICP)化学气相沉积技术,在低温(100℃)下采用硅烷(SiH4)、氮气(N2)和氢气(H2)作为先驱反应气体制备氢化氮化硅薄膜(SiNx∶H),并通过傅里叶红外光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子能谱仪(XPS)对薄膜的键结构、键密度、氢含量以及化学组成进行表征.采用少子寿命测试仪(Sinton WCT-120)研究薄膜在n型晶硅表面的钝化效果.结果表明,氮硅原子比为0.4的SiN0.4∶H薄膜具有最高的氢含量,高达29%,而且其钝化效果最好.最高少子寿命达到251μs,表面复合速率降低至85 cm/s,Suns-Voc测到的提示开路电压达到652 mV.

关键词: SiNx , 等离子体化学气相沉积 , 表面钝化 , 容性放电

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