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Ni50.5Mn26.5Ga23单晶磁感生应变的温度依赖性

崔玉亭 , 王万录 , 廖克俊

材料研究学报

通过对磁感生应变和磁增强相变应变的测量, 研究了Ni50.5Mn26.5Ga23单晶磁感生应变的温度依赖性和磁控形状记忆效应. 结果表明, 随着温度的降低; Ni50.5Mn26.5Ga23单晶的饱和磁感生应变量先是迅速减小, 然后缓慢减小; 磁场的方向不同, 随着温度降低饱和磁感生应变量减小的速度也不 同. 根据合金形状记忆的特点和马氏体变体择优取向的机理, 对实验结果进行了分析和讨论.

关键词: 金属材料 , temperature dependence , strain , shape memory effect

冷拔残余应力应变对钢丝氢扩散过程的影响

王艳飞 , 巩建鸣 , 唐建群 , 蒋旺 , 姜莹洁

中国腐蚀与防护学报

利用有限元法对高强度珠光体钢丝冷拔残余应力应变进行有限元分析,在此基础上利用有限差分法计算应力应变同时诱导下的氢扩散浓度分布规律,并比较其与只考虑残余应力诱导氢扩散模型所得氢浓度分布规律的不同。结果表明,由于冷拔加工过程中钢丝表面和内部变形速率的差异,冷拔后在钢丝表面产生较大的残余拉应力和大量的塑性应变。残余应力应变的存在,加剧氢在材料中的扩散和聚集,其中应变的影响相当明显。在短时间内,由于塑性应变降低氢在材料内的扩散系数,所以同时考虑残余应力和应变引起的氢富集水平低于只考虑应力诱导引起的氢富集水平。随着时间的增加,应力应变引起的氢富集浓度明显大于只考虑应力诱导时的氢富集浓度。塑性应变会引起氢富集已经被大量实验所证实,同时考虑应力应变对氢扩散的影响更具有实际意义,为进一步建立准确的钢丝氢脆模型提供参考。

关键词: 冷拔 , residual stress , strain , hydrogen diffusion , steel wires

薄层应变的X射线衍射技术

徐景阳 , VANBRUSSELB.J. , NOORDHUISJ. , BRONSVELDP.M. , DEHOSSONJ.Th.M.

金属学报

Ne注入的AISI304奥氏体不锈钢的X射线衍射花样,显示出0.1μm注入薄层中的两种应变:由注入Ne引起的张应变和由高压Ne泡压迫周围点阵产生的压应变。本文介绍其测量原理和技术,在X射线衍射花样上还发现注入Ne引起马氏体相变现象。

关键词: X射线衍射 , strain , implantation , martensitic transformation , null

数字图像处理在网格法测量应变中的应用

陈银莉 , 余伟 , 黄秀生

物理测试

通过对网格的传统测量方法的研究,指出了其中的不足,提出了把数字图像处理的方法应用于网格法的测量当中,并对网格法测量应变过程中涉及到的数字图像的一些分析方法进行了研究。

关键词: 网格法 , image process , strain

Cu-6%Ag合金组织纤维化过程中的应变协调行为

刘嘉斌 , 孟亮

金属学报

Cu-6%Ag合金(质量分数)原始组织由枝晶偏析的Cu基体和不平衡共晶体两种组成物构成,冷拉拔及中间热处理可导致组织纤维化.通过测量纤维化过程中组成物的尺寸变化以及计算各组成物的名义应变和应变增长率, 分析了不同组成物之间的应变协调行为. 在不同的变形阶段, 两种组成物应变硬化能力不同, 导致应变程度和应变增长率存在差别. 随合金变形程度的增加, 两种组成物在演变为纤维复合组织的过程中, 应变程度和应变增长率并不保持一致, 表现出一定程度的应变不协调性.

关键词: Cu-Ag合金 , microstructure , strain

INFLUENCES ON THE PLASTIC STRAIN DISTRIBUTION OF SLAB OF VERTICAL ROLL SHAPE DURING MULTI-PASS V-H ROLLING PROCESS

H.L. Yu , null , null , null , null

金属学报(英文版)

Multi-pass slab vertical-horizontal (V-H) rolling process with variable vertical roll shape have been simulated with explicit dynamic finite element method and updating geometric method. The distributions of plastic strain contour of slab during rolling process with different vertical roll and under different rolling stage have been obtained. The results show that there exist two thin strain assembling zones in slab when the flat vertical roll is used, and there just exist one strain assembling zones in slab when the vertical roll with groove is used. And compared the deformation equality between flat vertical roll and vertical roll with groove, the later is better than the former, which supplies the theory prove to the slab deformation distribution during V-H rolling process and is helpful for predicting the slab texture.

关键词: strain , null , null , null , null

高应力条件下膏泥岩动静态力学参数特征试验分析

张俊 , 周文 , 李双贵 , 单钰铭 , 尹帅 , 谢润成 , 郑莲慧

中国材料进展 doi:10.3969/j.issn.1671-9727.2015.06.04

高应力条件下膏泥岩动静态力学参数特征研究对分析地下深层或高应力地区膏泥岩力学状态、蠕变扩容约束因素、地下工程或容腔安全设计及地下空间应力场模拟等方面意义重大。通过对地下膏泥岩取样并开展力学试验,对其应力应变特征进行分析,结果表明:高应力条件下膏泥岩应力-应变曲线大致分为4个阶段,时间-应变曲线大致分为3个阶段;硬石膏含量增加能提高岩样的强度、模量及泊松比,同时延缓岩石的弱化,但在高应力系统下岩样具有较为明显的蠕变扩容特征;在45%和79%屈服水平下,屈服应力点之后塑性应变比例差异不大;有效围压50 MPa 条件下,杨氏模量随着偏应力的增加而降低,泊松比随着偏应力的增加而增加;硬石膏体积分数>50%的样品内聚力和内摩擦角比硬石膏体积分数<50%的样品分别高35.7%和10.2%,表明虽然膏泥岩在高应力条件下易发生扩容蠕变,但硬石膏相对泥质而言能提高岩石抗剪切破坏的能力;根据动态资料计算的膏泥岩力学参数与静力学参数类似,高应力条件下硬石膏含量高的样品其动力学参数值也相对大一些,不同成分膏泥岩样品具有统一线性变化规律。

关键词: 高应力 , 膏泥岩 , 应力 , 应变 , 偏应力 , 抗剪强度 , 力学参数

金属表面梯度纳米结构的切削制备技术

潘延安 , 付秀丽 , 安增辉 , 谢安冉

表面技术 doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2015.11.010

在工件表面覆盖一层梯度纳米结构提高其硬度、抗疲劳强度、抗腐蚀强度等服役性能,已成为一种重要的表面强化技术. 塑性变形是表面梯度纳米结构形成的一种有效途径,而切削加工作为一种典型的塑性变形过程(应变可达13,应变率可达106 s-1 )满足了这一要求. 对国内外相关研究成果进行梳理,从切削加工制备梯度纳米结构的理论基础入手,通过阐明塑性变形-应变、应变率-位错等之间的关系,描述切削过程中切削表面与切屑的微观组织演变,并结合有限元仿真分析和切削加工实验对切削加工过程中制备梯度纳米结构的可行性进行分析. 具体阐述了切削制备技术的特点与优势,如缩短工件生产周期,降低生产成本,提高加工效率,拓展加工范围等;提出切削制备梯度纳米结构所面临的一些基础性难题,例如,晶粒细化机理和微观组织演变过程存在争议,切削过程中切削热引起再结晶问题,形成的梯度纳米结构难以达到服役要求等. 最后,对切削制备技术发展过程中所要突破的关键技术及未来应用前景进行了展望.

关键词: 切削表面 , 梯度纳米结构 , 晶粒细化 , 应变 , 应变率 , 塑性变形 , 服役性能

NUMERICAL SIMULATION STUDY ON DEFORMATION UNIFORMITY OF EQUAL CROSS SECTION LATERAL EXTRUSION

Z.L. Chang , J.L. Song , N.H. Hao

金属学报(英文版)

Equal cross section lateral extrusion (ECSLE) is an effective method realizing pure shear deformation. The in uence of friction factor on the deformation uniformity of ECSLE was investigated with rigid plastic nite element method. The result shows that the non-uniform deformation in extrusion is caused mainly by the friction be- tween workpiece and die. The higher the friction factor is, the more uneven plastic deformation resulted in extruded workpiece. The relation curve of deformation uni- formity vs. friction factor was drawn based on the analysis result. The curve can be used as a basis of ECSLE process design.

关键词: equal cross section lateral extrusion , null , null

THE INFLUENCE OF ISLAND-INDUCED STRAIN ON THE Si SURFACE MORPHOLOGY IN Ge-Si MULTILAYERS: A TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY STUDY

H.M.Lu

金属学报(英文版)

Growth and ordering of coherently strained Ge-rich islands in Ge/Si single layer and multilayer systems and the influence of island arrangements on the evolution of the surface morphology of Si cap layers during deposition by low-pressure chemical vapour deposition(LPCVD) on Si(001) substrates at 700℃ have been investigated by TEM of cross-section and plan-view specimens. At distances between the Ge layers of 35-50nm, vertical order of GeSi islands is observed for Ge-Si bilayer systems and for Ge-Si multilayer systems consisting of 5 layer pairs whereas lateral ordering parallel to <100> substrate directions is observed for the latter case only. In agreement with earlier results the vertical ordering in the multilayer system can be understood as result of the elastic interaction between island nuclei forming in the layers with close islands in a buried layer below. The lateral ordering along <100> may be attributed to the anisotropy of the elastic interaction. Characteristic for all Si surfaces are the spatial correlation between the presence of island-induced lattice strain and the appearance of arrays of larger square-shaped pyramids with distinct faceting and facet edges along <110>. The results reflect the importance of the control of growth parameters and of the island-induced strain state for the evolution of the Si top layer surface morphology during LPCVD growth.

关键词: Si-Ge heteroepitaxy , null , null

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