化麒麟
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付蕊
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杨雯
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杨培志
材料导报
采用脉冲磁控溅射系统在玻璃衬底上制备了硼掺杂氧化锌(ZnO∶B)薄膜,利用X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜、紫外-可见光-近红外分光光度计和四探针测试仪研究了溅射时间与薄膜的结构、光学和电学特性的关系.结果表明:ZnO∶B是多晶薄膜,具有六方钎锌矿结构且呈c轴择优取向,其透明导电性能优良,在可见光谱范围的平均透先率超过80％,薄膜电阻率随溅射时间延长而降低至3.0×10-3 Ω·cm.
关键词:
ZnO∶B薄膜
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溅射时间
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光电特性
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透光率
孙维连
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李颖
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赵亚玲
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王会强
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孙铂
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李新领
材料热处理学报
采用非平衡磁控溅射技术在1Cr18Ni9Ti不锈钢上制备了ZrN薄膜。用SEM、EDS观察并分析了薄膜的表面形貌和成分,用光电轮廓仪测量了膜层厚度。并采用划格法测试不同溅射时间和温度制备的薄膜附着力大小。分析不同溅射时间和温度对薄膜附着力的影响规律。结果表明,通过调节磁控溅射时间和温度可以得到具有一定厚度,成分稳定,结构致密的ZrN薄膜,且溅射时间在1-20 min范围内时间越长薄膜附着力越大,溅射时间超过20 min,附着力趋于稳定;溅射温度在30-90℃范围内温度越高薄膜附着力越大,超过90℃溅射温度继续升高附着力减小。
关键词:
ZrN薄膜
,
附着力
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溅射时间
,
溅射温度
李渊
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王文文
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张俊英
功能材料
采用直流磁控溅射法制备了掺钨氧化铟（In2O3：W,IWO）薄膜,研究了制备工艺对薄膜表面形貌和光电性能的影响。结果表明薄膜的表面形貌与其光电性能有着紧密联系。氧分压显著影响薄膜的表面形貌进而对薄膜的光电性能产生影响,同时溅射时间的变化也显著影响薄膜的光电性能：随着氧分压以及溅射时间的升高,薄膜的电阻率均呈现先减小后增大的变化规律,在氧分压为2.4×10-1Pa条件下,制备样品的表面晶粒排布最细密,其电阻率达到6.3×10-4Ω.cm,载流子浓度为2.9×1020cm-3,载流子迁移率为34cm2/（V.s）,可见光平均透射率约为85%,近红外光平均透射率〉80%。
关键词:
In2O3∶W薄膜
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直流磁控溅射
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氧分压
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溅射时间
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表面形貌
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光电性能
丛芳玲
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赵青南
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刘旭
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罗乐平
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顾宝宝
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董玉红
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赵杰
硅酸盐通报
采用射频磁控溅射法在普通玻璃衬底上制备了Ga2O3含量为3wt.％的掺镓氧化锌透明导电薄膜(GZO).通过X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(SEM)、四探针测试仪、台阶仪、UV-Vis-NIR3600型紫外-可见分光光度计研究了溅射时间对薄膜结构、表面形貌及光电性能的影响.结果表明,溅射时间为40 min时制备的GZO薄膜的光电综合性能最好,可见光区透过率峰值86％,方阻为16.4Ω/□,电阻率为1.18 ×10-3Ω·cm,性能指数ΦTc为4.73 ×10-3 Ω-1;随着溅射时间增加,薄膜光学带系从3.69 eV减少到3.56 eV.在溅射时间60 min时结晶度最高,方块电阻为9.0Ω/□,电阻率最低为9.7×10-4 Ω·cm,可见光透过率峰值为81％.
关键词:
GZO薄膜
,
溅射时间
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光电性能
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射频磁控溅射
高松华
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高立华
涂料工业
采用复合靶射频磁控溅射方法制备了ZnO/Ti02复合薄膜,对薄膜500℃退火处理2h.利用XRD和AFM对薄膜的晶体结构和表面微观形貌进行了表征,分析讨论了不同溅射时间下制备的薄膜的亲水性.结果表明:溅射时间为120 min时制备的薄膜经过退火处理后,具有锐钛矿和金红石混晶结构,而且具备最佳的亲水性和光致亲水性.
关键词:
溅射时间
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退火
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亲水性
,
光致亲水性
