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绝缘介质中载流子注入与传导的机理

周力任 , 吴广宁 , 罗杨

材料科学与工程学报

本文分析了与绝缘介质老化、失效过程密切相关的载流子注入与传导机理,包括具有电极限制特性的肖特基效应、具有体限制特性的普尔-弗兰凯尔效应、隧穿效应、离子跳跃传导以及空间电荷限制电流.研究结果表明:由普尔-弗兰凯尔效应引起的势垒降低的高度是由肖特基效应降低的势垒高度的两倍.如果In(I/E~2)-1/E...

关键词: 肖特基效应 , 普尔-弗兰凯尔效应 , 隧穿效应 , 离子跳跃传导 , 空间电荷限制电流

退火时间对溶液法制备Tips-Pentacene电流传输特性的影响

滕支刚 , 冷华星 , 张玲珑 , 钟传杰

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20142902.0219

通过测量p+Si/PEDOT:PSS/Tips-PEN/Ag器件的J-V特性,研究了退火时间对溶液法制备Tips-PEN薄膜电流传输特性的影响.实验结果表明,在退火时间为2h和5h的条件下,随偏置电压的增加,双对数J-V曲线存在斜率依次为2,大于3以及2的不同区域,而在退火时间达到10 h后,低电压...

关键词: Tips-Pentacene , 空间电荷限制电流 , 退火时间 , 溶剂残留

Tips-PEN 薄膜载流子迁移率的稳态 SCLC 与阻抗谱法测量的研究

景亚霓 , 滕支刚 , 魏志芬

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20142906.1077

利用稳态 SCLC 法和阻抗谱法测量了由溶液工艺制备的 Tips-PEN 薄膜的空穴迁移率,并对两种方法的测试结果进行比较和分析.测试样品是 p＋ Si/PEDOT∶PSS/Tips-PEN/Ag 构成的单载流子器件.稳态 SCLC 法测试的器件Tips-PEN 厚度为87 nm,得到零场迁移率和场...

关键词: Tips-Pentacene , 空间电荷限制电流 , 阻抗谱 , 迁移率

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