周力任
,
吴广宁
,
罗杨
材料科学与工程学报
本文分析了与绝缘介质老化、失效过程密切相关的载流子注入与传导机理,包括具有电极限制特性的肖特基效应、具有体限制特性的普尔-弗兰凯尔效应、隧穿效应、离子跳跃传导以及空间电荷限制电流.研究结果表明:由普尔-弗兰凯尔效应引起的势垒降低的高度是由肖特基效应降低的势垒高度的两倍.如果In(I/E~2)-1/E特性关系始终是线性的,说明载流子是由隧穿效应注入介质中的.在高电场下,离子跳跃传导的J-E特性曲线是一条斜率为eλ/2κT的直线,并可由此斜率计算得到离子跳跃的距离.由空间电荷限制电流的J-V特性可以确定临界电压,即电流从陷阱限制值迅速跳高至无陷阱的空间电荷限制电流值的电压.
关键词:
肖特基效应
,
普尔-弗兰凯尔效应
,
隧穿效应
,
离子跳跃传导
,
空间电荷限制电流
滕支刚
,
冷华星
,
张玲珑
,
钟传杰
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142902.0219
通过测量p+Si/PEDOT:PSS/Tips-PEN/Ag器件的J-V特性,研究了退火时间对溶液法制备Tips-PEN薄膜电流传输特性的影响.实验结果表明,在退火时间为2h和5h的条件下,随偏置电压的增加,双对数J-V曲线存在斜率依次为2,大于3以及2的不同区域,而在退火时间达到10 h后,低电压下斜率为2的区域消失.根据空间电荷限制电流模型,分析了不同区域的电流传输机理,并提取了陷阱密度和空穴的迁移率.在退火时间为10h时,材料有最低的陷阱密度5.70×1018/cm3和最大的空穴迁移率1.68×10-4 cm2/(V·s),其在低偏置下传输特征的改变表明与溶剂残留有关的单一能级陷阱极大减小.
关键词:
Tips-Pentacene
,
空间电荷限制电流
,
退火时间
,
溶剂残留
景亚霓
,
滕支刚
,
魏志芬
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142906.1077
利用稳态 SCLC 法和阻抗谱法测量了由溶液工艺制备的 Tips-PEN 薄膜的空穴迁移率,并对两种方法的测试结果进行比较和分析.测试样品是 p＋ Si/PEDOT∶PSS/Tips-PEN/Ag 构成的单载流子器件.稳态 SCLC 法测试的器件Tips-PEN 厚度为87 nm,得到零场迁移率和场依赖因子分别为1.21×10-5 cm2/(V??s)和0.0024(cm/V)1/2；阻抗谱法测试的器件 Tips-PEN 厚度为827 nm,得到零场迁移率和场依赖因子分别为1.219×10-5 cm2/(V??s)和0.00347(cm/V)1/2.稳态 SCLC 法得到的场依赖因子较小,呈现较弱的场依赖关系,其原因是为得到无陷阱模式下的稳态 SCLC 需要施加的电场远远高于阻抗谱测量时的电场,以至于注入较高的载流子浓度.这一结果显示了在较高载流子浓度下迁移率与场的依赖变弱,与理论模型和模拟预测的趋势一致.
关键词:
Tips-Pentacene
,
空间电荷限制电流
,
阻抗谱
,
迁移率
