曹雪
,
舒永春
,
叶志成
,
皮彪
,
姚江宏
,
邢晓东
,
许京军
人工晶体学报
本文建立了采用分子束外延法制备InGaP/GaAs异质结构的热力学模型,其中考虑了两个重要的因素,由晶格失配引起的内在应力和InP的脱附.所得到的模型与现有实验结果匹配较好.该模型的实验结果表明在InGaP的生长过程中,生长温度,In/Ga束流比及合金组分之间的相互关系,同时也与实验数据相吻合.该模型对于其他气相沉积生长方式也具有一定的适用性.
关键词:
热力学
,
固态源分子束外延
,
InGaP
,
GaAs
,
异质结构
