邱岩
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包亦望
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刘小根
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王秀芳
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万德田
稀有金属材料与工程
对钠钙硅玻璃在物理钢化和化学钢化前后的动态弹性模量、剪切模量、泊松比进行了研究.利用脉冲激励法测试玻璃的弹性性能,分析了2种钢化工艺对玻璃弹性性能的影响.讨论了钢化对玻璃力学性能变化的影响机理.试验结果表明,玻璃的弹性模量与其钢化后有较为明显的差别,物理钢化使其弹性模量比原片玻璃略有降低(约4%),而化学钢化玻璃使其弹性模量较原片玻璃有所提高(约6%),这一奇怪的现象是由于物理钢化过程中玻璃冷却后,内部的收缩要大于表面的收缩变形,从而使玻璃表层致密度降低,而化学钢化过程中采用离子交互方式,让较大的离子取代玻璃表层上较小的离子,使其表层致密度增加.
关键词:
玻璃
,
物理钢化
,
化学钢化
,
弹性模量
房迪
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肖清泉
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廖杨芳
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袁正兵
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王善兰
,
吴宏仙
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2017.04.003
采用磁控溅射技术和退火工艺在钠钙玻璃衬底上制备了Mg2Si半导体薄膜,研究了Mg膜厚度对Mg2Si薄膜结构及其电学性质的影响.在钠钙玻璃上分别溅射两组相同厚度(175 nm)的P-Si和N-Si膜,然后在其上溅射不同厚度Mg膜(240nm、256nm、272nm、288nm、304nm),低真空退火4h制备一系列Mg2Si半导体薄膜.通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、霍尔效应测试仪对Mg2Si薄膜的晶体结构、表面形貌、电学性质进行表征与分析.结果表明:采用磁控溅射技术在钠钙玻璃衬底上成功制备出以Mg2Si (220)为主的Mg2Si薄膜.随着沉积Mg膜厚度的增加,Mg2Si衍射峰逐渐增强,薄膜表面更连续,电阻率逐渐减小,霍尔迁移率逐渐降低,载流子浓度逐渐增加.此外,Si膜导电类型和Mg膜厚度共同影响Mg2Si薄膜的导电类型.溅射N-Si膜时,Mg2Si薄膜的导电类型随着Mg膜厚度的增加由P型转化为N型;溅射P-Si膜时,Mg2Si薄膜的导电类型为P型.可以控制制备的Mg2Si半导体薄膜的导电类型,这对Mg2Si薄膜的器件开发有着重要的指导意义.
关键词:
钠钙玻璃
,
Mg2Si薄膜
,
膜厚
,
磁控溅射
