王慧慧
,
徐国跃
,
张建超
,
石枭
,
马惠
,
侯海丽
兵器材料科学与工程
采用高温固相法对8YSZ粉体分别进行ZnO、Al2O3及MoO3的单项掺杂,通过XRD、SEM等表征手段,探讨分析单项掺杂影响8YSZ粉体发射率的机理。结果表明:单项掺杂后8YSZ粉体3~5μm波段下的红外发射率从室温~600℃下保持不断降低的趋势,掺杂Al2O3后粉体的发射率整体上升,而掺杂ZnO及MoO3后的8YSZ粉体发射率整体有所降低;单项掺杂MoO3的效果最好,掺杂的摩尔分数为5%,样品粉体(MoO3)0.05(8YSZ)0.95的发射率最低,降至600℃下的0.249。
关键词:
8YSZ
,
单项掺杂
,
发射率
,
导电性