李进
,
张洪岩
,
高忙忙
,
周锐
,
薛子文
,
梁森
,
李国龙
,
李海波
,
何力军
人工晶体学报
大直径化是太阳能光伏用单晶硅发展的趋势之一.由于炉体结构的增大,炉内气体流场的变化对晶硅生长过程产生了一定的影响.本文采用CGSim晶体生长软件,系统分析了氩气进口流速对固液界面,热应力和晶体氧含量的影响.结果表明,随氩气流速的增加,固液界面高度逐渐下降,当氩气流速为中等范围时,固液界面波动最低,有利于提高拉晶过程的稳定性;另一方面,三相交界处热应力最大值随氩气流速的增加而降低,固液界面热应力波动幅度随氩气流速的增加而增加,综合两方面考虑,确定采用中等氩气流速(0.9～1.5 m·s-1)工艺可有效避免断晶等缺陷的发生.同时,在中等氩气流速范围内,晶体中心处的氧含量下降至6.55×1017 atm/cm3(氩气流速为1.5m·s-1时),与低氩气流速时相比,氧含量降低了18％.
关键词:
单晶硅
,
氩气流场
,
固液界面
,
氧含量
杨淑云
,
李宁
,
丰云恺
,
任丽
,
任丙彦
硅酸盐通报
晶硅太阳电池在光伏发电中占有80％以上的市场份额,其科技进步主导着光伏发电的走向.随着晶硅太阳电池光电转换效率的提高,其光衰也随之提高,成为高效晶硅电池科技发展的瓶颈.研究发现,硅中的杂质补偿度和B-O复合体均能造成电池的“光衰”.利用掺镓硅单晶替代掺硼硅单晶并严格控制硅中的杂质补偿度能够大大抑制光衰,其机理和工艺的研究对高效晶硅电池的发展意义重大.
关键词:
太阳电池
,
光衰减
,
单晶硅
,
掺杂
高农农
,
葛林
硅酸盐通报
大幅降低单晶硅的生产成本是光伏行业急需解决的难题之一.本文采用CGSim晶体生长软件,对现有工业单晶炉的热场结构进行了优化并分析了其对加热效率、单晶炉能耗和晶体氧含量的影响.结果表明,随加热器内径的减小,加热器对石墨坩埚的加热效率逐渐提升,进而使加热器的功率大幅下降;同时,熔体中的对流也受到抑制,减小了对流对坩埚壁的冲刷,降低了晶体中的氧含量.当加热器内径为550 mm时,单晶炉的功率降低了25.7％,晶体中的氧含量降低了27.1％,为进一步降低单晶硅的生产成本提供了依据.
关键词:
单晶硅
,
加热效率
,
氧含量
,
能耗
陈文刚
,
葛世荣
,
张涌海
功能材料
低温条件下在单晶硅表面沉积DLC膜和Si-DLC膜层，采用UMT-2微摩擦磨损实验机研究了两种膜层的摩擦磨损特性，借助拉曼光谱、X射线衍射仪及立体三维形貌仪分析了两种膜层的表面形貌和组成。使用扫描电子显微镜检测了两种膜层磨损后的表面形貌。结果表明两种膜层表面都非常平滑，属于纳米硬膜；两种膜层都具有良好的减摩托磨作用，其中DLC膜层的减磨性能好于Si-DLC膜，而Si-DLC膜的抗磨性能优于DLC膜。分析认为这是由于具有Si过渡层的DLC膜与硅基体的结合更为牢固造成的，但其同时促使DLC膜的减摩性能降低。
关键词:
单晶硅
,
DLC膜
,
Si-DLC膜
,
摩擦磨损
高忙忙
,
朱博
,
李进
,
景华玉
,
董法运
,
梁森
,
李海波
硅酸盐通报
采用CGSim晶体生长软件,对现有工业单晶炉中的加热器位置进行优化并分析了其对热场、固液界面、晶体中温度梯度和氧含量的影响.结果表明,随加热器的上移,功率消耗略有降低,熔体内的温度梯度逐渐下降,在高埚位的生长条件下可以适当提升拉晶速率;同时,固液界面也趋于平坦,晶体中的温度梯度有所减少,从而可以有效地抑制缺陷的形成.另外,晶体中的氧含量也有一定程度的下降.可以得出,在晶体等径生长初期,提高加热器的位置是降低晶体生长成本和提升晶体品质的途径之一.
关键词:
单晶硅
,
温度梯度
,
固液界面
,
氧含量
