薛白
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刘军
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张泰永
,
郑兆勃
金属学报
<正> 1 引 言 目前热中子散射实验多采用核反应堆做中子源,从核反应堆引出的中子束是一连续谱,为了获得实验用的单色中子束,一般采用单晶衍射的方法。经常用作中子单色器的晶体有Si,Ge,Pb,热解石墨和Cu等。单晶衍射获得的单色束波长λ=2d_(HKL)sinθ,单色束的波长分辨率面△λ/λ∝ctgθ,反射面间距小的Cu单晶在获得同佯波长的单色束时,Bragg角θ大,从而分辨率高(即△λ/λ数值小);另外峰值强度正比于相干散
关键词:
铜
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single crystal growth
,
neutron monochromator
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Bridgman-Stockbarer method
徐义库
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刘林
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张军
,
材料热处理学报
采用光辐射加热悬浮区熔法以3 mm/h的生长速度成功制备了Tb2PdSi3单晶.通过分析得知,该化合物为同成分熔融化合物,熔点约为1700℃.和其它R2PdSi3型化合物(R为稀土元素)不同,在单晶基体中没有发现TbSi沉淀,分析原因可能是因为晶体中Tb含量略高于化学计量比.采用X射线Laue背散射实验对晶体的晶格结构和高完整性进行了验证,并对定向单晶的a和c方向磁化率-温度曲线进行了测定.
关键词:
悬浮区熔
,
单晶生长
,
稀土化合物
,
磁性能
傅瑜
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何俊宝
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宋海珍
,
任波
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张萍
,
吴燕燕
人工晶体学报
在真空密封的石英管中运用高温助溶剂方法制备出各向异性狄拉克材料SrMnBi2的高品质单晶样品.通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜-能量色散X射线光谱仪系统(SEM-EDX)、磁性测量系统(MPMS)和综合物性测量系统(PPMS)等多种测试技术手段综合研究了高品质SrMnBi2单晶样品的晶体结构、化学组成、电学和磁性等性质.结果表明:狄拉克材料SrMnBi2在晶体结构上是一个典型的层状结构化合物,物理性质上是一个反铁磁(TN=290K)金属,具有狄拉克材料的典型特征.
关键词:
单晶制备
,
晶体结构
,
物理性质
,
狄拉克材料
张建军
人工晶体学报
以NH_4SCN和 CdCl_2·2H_2O为反应原料,采用缓慢降温法,从水溶液中生长了尺寸为:10 mm×7 mm×4 mm新的化合物Cd(SCN)Cl单晶体; 采用元素分析、红外光谱、EDS、TG/DTA、粉末X射线衍射和单晶X射线衍射对所生长的晶体进行了表征.结果表明:所得晶体分子式为:Cd(SCN)Cl,属于斜方晶系Pnma空间群,晶胞参数为a=0.95967(7) nm, b=0.42595(3) nm, c=1.01789(7) nm, V=0.41608(5) nm~3,Z=4.热分析结果表明,晶体在190 ℃时具有良好的物理化学稳定性并且热分解的最终残留物是CdS.采用重量分析法测定了化合物Cd(SCN)Cl在不同温度条件下的溶解度.采用维氏显微硬度法对该晶体的力学性能进行了研究,其硬度值为78.6 kg/mm~2.
关键词:
溶液生长
,
单晶生长
,
表征
,
Cd(SCN)Cl
徐义库
,
王丹丹
,
宋绪丁
,
于金丽
,
肖君霞
,
郝建民
,
刘林
,
张军
,
L(O)SER Wolfgang
材料热处理学报
新型磁盘存储材料Eu2PdSi3单晶制备由于Eu的挥发问题一直是一个难点.本文采用光辐射加热悬浮区熔法尝试制备了Eu2PdSi3单晶.采用标准化学成分配比制备给料棒,制备出的Eu2PdSi3晶体为胞状晶,分析是由于熔区成分发生变化,发生成分过冷导致胞状组织;采用给料棒成分调整法成功生长出大块Eu2PdSi3晶体.研究发现,采用3 MPa循环Ar气并不能完全抑制Eu在高温下的挥发,继续增大保护气体的压强配合给料棒成分调整,有利于解决Eu元素的挥发问题.
关键词:
悬浮区熔
,
单晶生长
,
稀土化合物
,
胞状组织
赵欣
,
李梦
,
朱世富
,
吴小娟
人工晶体学报
在熔体法生长ZnGeP2单晶体的过程中,如何解决熔体与坩埚的粘连问题是一个研究关键.本文研究了石英坩埚的镀碳工艺,采用化学气相沉积法成功在坩埚内壁镀上结合牢固且均匀的碳膜.采用垂直布里奇曼法,并结合适时补温技术,在内部镀碳的双层坩埚中成功生长出φ20 mm× 50 mm外观完整,无裂纹的ZnGeP2单晶体.经XRD,TEM,FTIR分析结果表明:生长的ZnGeP2晶体缺陷少,结构完整,红外透过率高,是质量较高的单晶体.
关键词:
磷锗锌
,
单晶生长
,
镀碳
,
双层坩埚
李明涛
,
余慧玲
,
邓冬梅
,
冯振杰
,
曹世勋
,
张金仓
低温物理学报
本文报道了采用自助溶剂法对不同组分K0.8Fe2-ySe2单晶生长和结构研究的实验结果.X-射线衍射XRD（Cu靶和同步辐射）结构分析表明样品中存在两套衍射峰（分别对应相1和相2）,相1能够用ThCr2Si2结构,空间群I4/mmm（No.139）指标化,对应超导相.而相2能够用单一米勒指数（0 0l）标定,可能对应一个新的物相.相2的存在能够在不同组分的KxFe2-ySe2单晶样品中很好的重复.利用高分辨透射电子显微镜（TEM）研究了K0.8Fe2Se2样品的＂结构相分离＂特征,结果表明样品中存在明显的位错缺陷,可能与两相结构的竞争有关.对K0.8Fe2Se2单晶样品直流磁化测量表明相2可能为弱铁磁性,从而引起高温Tp～125K的ZFC与FC磁性反常.
关键词:
单晶生长
,
晶体结构
,
“245”-铁硒超导体
