刘腾云
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葛培琪
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高玉飞
人工晶体学报
随着硅晶片薄型化发展,减少硅晶片厚度已成为降低芯片制造成本的重要措施.但在硅晶片制造加工过程中,许多因素制约了其减薄.针对硅晶片减薄问题,总结分析了制约硅晶片减薄因素,重点阐述了硅晶片厚度与硅晶片的断裂强度、刚度、翘曲度、固有频率的关系,分析了减小硅晶片厚度对硅晶片加工、检测和运输的影响,并对硅晶片厚度标准化问题进行了讨论,最后得到了制约硅晶片减薄的关键因素.
关键词:
硅晶片
,
晶片厚度
,
断裂强度
,
刚度
壮筱凯
,
李庆忠
表面技术
doi:10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2015.05.024
目的：研究硅片经雾化施液抛光技术加工后存在的位错缺陷。方法应用化学腐蚀法、光学方法分析硅片不同部位的位错腐蚀形貌、位错密度及其分布,通过单因素实验研究雾化参数对位错形貌和位错密度的影响规律。在相同的工艺参数下,和传统抛光进行对比实验。结果雾化抛光硅片的平均位错密度为1.2×104/cm2,边沿处的位错密度小于其他区域。在相同的工艺参数下,雾化施液CMP的抛光液消耗量约为传统CMP的1/10,但硅片的位错腐蚀形貌和位错密度明显好于传统抛光,且蚀坑分布均匀分散,没有出现位错排等严重缺陷。通过增大雾化器的出雾量能有效改善硅片表层的位错缺陷。结论相对于传统抛光,雾化施液抛光技术能更加高效地去除硅片的位错缺陷。
关键词:
雾化施液
,
硅片
,
位错腐蚀坑
,
传统抛光
,
雾化参数
孙燕
,
李莉
,
孙媛
,
李婧璐
,
李俊峰
,
徐继平
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2009.06.024
随着大规模集成电路的快速发展, 硅片表面微粗糙度对于器件制造的影响也越来越受到人们的重视. 介绍了几种测量硅片表面微粗糙度的测试方法, 并将它们分成三类, 简单阐述了每一类测试方法的测试原理, 影响测试结果的因素, 从实际应用的角度详细阐述了这三类测试方法的适用情况、通过详细的测试数据及图形对这三类测试方法进行了分析, 并对这三类测试方法进行了比较. 最后简单介绍了纳米形貌和硅片表面微粗糙度之间的关系.
关键词:
表面微粗糙度
,
测量
,
硅片
