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铜离子催化作用下单晶硅表面微纳结构的制备

丁月 , 卢建树

表面技术

目的 结合金属辅助化学湿法刻蚀原理,在单晶硅表面制备高效减反的微纳米结构.方法 以单晶硅为基体,提出用Cu2+作为催化剂,在单晶硅表面两步化学刻蚀出多种微纳米减反结构,运用SEM/AFM表面分析方法,对形成的表面形貌和制备工艺进行分析,详细介绍了铜离子催化作用下制备微纳米结构的机理、反应现象及主要影响因素.结果 铜离子催化化学刻蚀单晶硅可以得到均匀分布的微纳米减反结构,所得结构在250～800 nm范围内的反射率达5％以下.结论 与传统碱性刻蚀技术相比,该技术所得微结构具有更高的光吸收率,并且稳定性好,容易控制.

关键词: 硅基体 , 微纳结构 , 铜离子 , 太阳能电池

半导体学报（英文版） doi:10.1088/1674-4926/34/5/053006

关键词:

水热法制备Si基片状ZnO微晶薄膜

刘长友 , 王金芳 , 孙晓燕 , 介万奇

功能材料

采用真空蒸镀法在Si（100）基底上制备了六角片状Zn微晶薄膜，并由N2H4·H2O-水热体系制备了Si基片状ZnO微晶薄膜。XRD、SEM及EDS测试与分析结果表明，纤锌矿结构片状Zn0微晶长度约1μm、厚度约100nm，几乎垂直于Si基面，且在基面上随机组合成连续薄膜。联系室温Si基Zn微晶薄膜氧化物形貌，以“氢氧化锌脱水”反应解释了Si基片状ZnO微晶薄膜的生长机制。光致发光谱测试分析表明，ZnO微晶薄膜有强的近带边紫外光发射和弱的缺陷发射。

关键词: ZnO , 硅基底 , 生长机理

硅基板表面电沉积法制备HAP涂层及表征

岳雪涛 , 田清波 , 张丰庆 , 孙德明 , 孙康宁

硅酸盐通报

在含有Ca2+和PO43-的电沉积液中,以硅基板为阴极,在其表面制备了HAP涂层,并用XRD、SEM、AFM及纳米压痕对涂层进行表征.通过对不同电沉积时间的涂层进行分析,可知加上电压后可以快速的在硅基板表面形成HAP的涂层,随着沉积时间延长,晶粒长大,涂层增厚,并在涂层上产生裂纹.由XRD图谱可知在最初阶段形成的HAP晶粒结晶度低,为无定型态状态,随着电沉积时间延长,组成涂层的晶粒结晶程度提高,XRD峰值增大变得尖锐.AFM分析表明晶粒生长均匀,粗糙度较低,纳米压痕测试结果显示涂层的力学性能较低.

关键词: 硅基板 , 电沉积 , HAP涂层