梁峰
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李楠
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刘百宽
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贺中央
耐火材料
doi:10.3969/j.issn.1001-1935.2013.04.002
为了研究微米或纳米结构的碳材料对Al2O3-Si-C材料基质中生成SiC晶体结构和形貌的影响,采用板状刚玉细粉和单质Si粉为原料,分别以碳纳米管、纳米炭黑和超细鳞片石墨为碳源,制备了添加三种不同碳源的Al2O3-Si-C基质试样,在埋炭气氛下于1000、1200和1400℃分别保温3h热处理,用XRD分析处理后试样的相组成,通过FESEM观察试样基质中的SiC晶体形貌.结果表明:1)较高的热处理温度可以促进SiC的反应生成,SiC的生成量随热处理温度的升高而增加.2)不同碳源在试样中原位形成SiC的形貌和反应机制各不相同:碳纳米管通过模板反应被逐渐转化为SiC晶须；Si与纳米炭黑之间快速反应形核,成核后的SiC晶体向各个方向均匀生长并形成SiC颗粒；超细石墨片晶从边缘向内部逐渐反应生成SiC晶须.
关键词:
Al2O3-Si-C
,
超细鳞片石墨
,
纳米炭黑
,
碳纳米管
,
SiC晶须
李心慰
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曲殿利
,
李志坚
,
吴锋
,
徐娜
硅酸盐通报
以硅溶胶和炭黑为原料,金属硅、三氧化二铁和硅铁合金为催化剂,采用碳热还原法合成碳化硅晶须,通过XRD及SEM对合成产物的物相及形貌进行分析,探讨了合成温度、催化剂种类、催化剂加入量对合成碳化硅晶须的影响.结果表明:在原料中加入催化剂,合成碳化硅晶须的最佳温度为1550℃;以Si-Fe合金为催化剂合成碳化硅晶须的效果明显好于以Fe2O3和金属硅为催化剂合成效果;Si-Fe合金加入量(占SiO2质量分数)为1％时,晶须生成率高,成直线形,长度10 ～ 50μm,直径0.1 ～0.3 μm.
关键词:
碳化硅晶须
,
催化剂
,
加入量
,
合成温度
李心慰
,
曲殿利
,
吴锋
,
徐娜
,
栾旭
耐火材料
doi:10.3969/j.issn.1001-1935.2016.06.005
为了制备直晶率高,光洁度好,长径比均匀,强度大的碳化硅晶须,以正硅酸乙酯(TEOS)和蔗糖为原料,无水乙醇为溶剂,pH为1～2的HCl为催化剂,采用溶胶-凝胶法制备碳化硅晶须,重点考察了TEOS溶胶凝胶行为即HCl的引入方式(直接滴加法和水溶液法)、水解温度(20、40和60℃)、搅拌时间(15、30、45和60 min)对合成碳化硅晶须的影响.结果表明:pH为1～2的盐酸以水溶液的形式加入正硅酸乙酯中,在40℃恒温水浴锅中搅拌30 min,可使正硅酸乙酯充分水解缩聚;在氩气气氛下1 500℃煅烧1h制得的β-SiCw量最多,表面光洁,直径在60～ 100 nm,直晶率高,且长径比均匀.
关键词:
碳化硅晶须
,
正硅酸乙酯
,
水解-聚合
,
溶胶-凝胶
