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一步法合成高纯度碳化硅粉体的研究

叶鑫南 , 赵中玲 , 兰琳 , 黄金秋 , 林昆仑 , 陈立富

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00243

利用液态硅为原料, 以碳和二氧化硅粉末组成的混合物作为催化剂, 通过液态硅与一氧化碳之间的气-液相碳热反应, 一步合成了高纯度的碳化硅微细粉体, 制得的碳化硅粉体的平均颗粒尺寸为D50=0.41μm. 利用XRD、SEM、激光粒度分析和元素分析对粉体进行了表征, 并讨论了碳化硅粉体的形成机理.

关键词: 碳化硅粉体 , liquid silicon , gas-phase reaction , liquid-phase reaction , carbothermal reduction

晶硅切割废料在碳化硅及其复合材料中的应用进展

杨昱桢 , 向道平 , 吕鑫禹 , 丁雷 , 潘艳林

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.03.010

光伏产业晶硅切割废料的传统回收工艺复杂且高纯硅的分离难度大、回收率低.而将废料提纯后直接制备碳化硅及其复合材料不仅方法简单、有效避开了硅难于分离的问题,且废料利用充分、制品多样化.从利用废料制备碳化硅粉体、碳化硅致密陶瓷、碳化硅多孔陶瓷、碳化硅/氮化硅复合材料、碳化硅基高温红外发射涂料以及碳化硅颗粒增强合金等方面综述了这一方向的研究进展,并基于该领域存在的一些主要问题,对未来的研究提出了几点建议.

关键词: 晶硅切割废料 , 碳化硅粉体 , 碳化硅多孔陶瓷 , 碳化硅复合材料

碳化硅粉体化学镀镍前无钯活化工艺

邹忠利 , 耿桂宏

电镀与涂饰

采用有机镍的醇溶液对SiC粉体进行活化,以实现SiC粉体化学镀镍前的无钯活化.通过单因素试验研究了活化液中乙酸镍含量、硼氢化钠含量、活化温度、时间等参数对SiC粉体表面镍包覆率的影响,得到适宜的活化工艺条件为:乙酸镍0.6 ~ 30.0 g/L,硼氢化钠0.4~4.0g/L,温度10~30℃,时间1~40 min.采用该工艺对SiC粉体活化后,其镍包覆率达100%,后续化学镀镍-磷合金层均匀,为非晶态.

关键词: 碳化硅粉体 , 化学镀镍 , 无钯活化 , 乙酸镍

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