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ZrB2-SiC 超高温陶瓷氧化过程中 ZrSiO4 相形成机制研究

高栋 , 张跃 , 许春来 , 宋扬 , 石晓斌

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00433

研究了ZrB2-20vol%SiC超高温陶瓷在空气气氛中的氧化行为, 分析了氧化温度、氧分压和氧化时间等对硅酸锆形成和晶体生长过程的影响, 提出了ZrB2-SiC超高温陶瓷氧化过程中硅酸锆相的形成机制. 热力学计算结果表明, 硅酸锆相的形成与高温下SiC的活性氧化有关. 实验结果表明, 常压氧化过程中, 硅酸锆的形成可分为两个阶段, (I)形核, 这一过程与SiC的活性氧化有关; (II)晶体生长, 随着氧化时间的延长, 氧化后形成的富硅玻璃相与氧化锆在硅酸锆晶核处反应, 晶粒进一步长大. 研究表明, 在 1500℃氧化90min后, 硅酸锆的晶粒尺寸达到100μm左右.

关键词: 硼化锆 , silicon carbide , zircon , active oxidation

Development of Some Fundamental Research of SiC_W/Al Composites in HIT PartⅠ Microstructure and SiC/Al Interface of SiC_W/Al Composites

Lin GENG Congkai YAO Dept.of Metals and Technology , Harbin Institute of Technology (HIT) , Harbin , 150006 , China

材料科学技术(英文)

The microstructure of SiC whisker reinforced aluminium alloy (SiC_w/Al) composite is reviewed,and the SiC-Al interface in SiC_w/Al composite is especially discussed,The main contents are morphology of the aluminium matrix in SiC_w/Al composite;microstructures and defects of SiC whiskers in SiC_w/Al composite and bonding mechanisms of the SiC-Al interface in SiC_w/Al com- posite.

关键词: silicon carbide , null , null , null , null

单晶及多晶硅切割废料中的高纯硅回收

郭菁 , 邢鹏飞 , 涂赣峰 , 祁阳

材料科学与工艺

为提高在切割废料中高纯硅的回收率,对沉降方法和条件进行了优化.根据单/多晶硅切割废料浆的物理、化学性质,在m(水)∶m(聚乙二醇)=(8~9)∶1、含有少量无机盐的水溶液体系中,在不同沉降时间和不同固液配比的条件下进行正交试验,通过盐酸、氢氟酸进行除杂,最后在1 500~1 600℃下进行硅的铸锭.通过X射线衍射、元素分析和粒径分析研究沉降条件对于最终回收产物的影响.研究表明:在固液比为0.06、沉降时间5 h的条件下,沉降并经过除杂得到的微粉中硅质量分数达到88.52%,碳化硅质量分数为11.46%,富集的微粉经铸锭得到的硅锭纯度为98.71%,硅的回收率达到43.33%.

关键词: 单晶硅 , 多晶硅 , 切割料浆 , 碳化硅 , 聚乙二醇 , 高纯硅 , 回收

氧化镧对电铸铜-碳化硅工具电极损耗的影响

吴亚州 , 李丽 , 戴春爽 , 毕方淇

电镀与涂饰

为了减少电火花加工(EDM)工具电极的损耗,采用稀土La2O3为电铸基液添加剂,制备了Cu-SiC复合材料.电铸液组成和工艺条件为:CuSO4.5H2O 200 g/L,H3BO320g/L,NaCl 80 mg/L,SiC 35 g/L,La2O3≤2.5 g/L,温度30℃,电流密度4 A/dm2,时间5h.研究了La2O3添加量不同时,电铸Cu-SiC复合材料中SiC的分布情况和沉积量,以及将其用作EDM工具电极时的表面形貌和相对质量损耗.结果表明,La2O3可促进SiC颗粒与铜共沉积,改善SiC在电铸层中的分散性,提高铸层的抗电蚀性.当La2O3添加量为1.5 g/L时,电铸Cu-SiC复合材料的抗电蚀性最佳.

关键词: , 碳化硅 , 复合材料 , 电铸 , 氧化镧 , 电火花加工 , 电极损耗

高导热绝缘漆的研制及其在低压电机上的应用

唐卫平 , 赵晓洋

绝缘材料

以不饱和聚酯改性环氧树脂为基体,采用硅烷偶联剂表面改性后的金刚石、碳化硅和氧化铝微粉为填料分别制备高导热绝缘漆,分析3种填料对绝缘漆的防沉淀性、导热系数、击穿电压和粘度的影响,采用3种改性填料复合制备了一种高导热绝缘漆,并在低压电机的整机上进行应用试验。结果表明:加入未改性填料的绝缘漆易产生沉淀现象,而加入硅烷偶联剂表面改性填料的绝缘漆储存稳定性好,不易沉淀;添加改性后的金刚石、碳化硅和氧化铝微粉填料后的绝缘漆,其导热系数随微粉含量的增加均有所提高、电气强度随微粉含量的增加而降低、粘度随微粉含量的增加而增大;3种改性填料复合使用制备的高导热绝缘漆导热系数可达0.432 W/(m·K),粘度69 s,电气强度23.4 MV/m。电机温升同比下降7 K,电机效率提高0.97%。

关键词: 高导热 , 绝缘漆 , 硅烷偶联剂 , 金刚石 , 碳化硅 , 氧化铝 , 导热系数

反应烧结碳化硅高温氧化过程的表面分析

郑传伟 , 曹小明 , 张劲松

腐蚀学报(英文)

用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)等表面分析方法,考察了反应烧结碳化硅(RBSC)材料在纯氧气中的氧化行为. 结果表明, 反应烧结SiC(RBSC)表面残余Si比 α-SiC拥有更多的缺陷, 初期氧化速率更快.表面粗糙度的变化在一定程度上也反映了氧化发生的过程. 结合氧化动力学、SEM及AFM,建立了RBSC初期氧化过程的生长模型. 提供表面三维信息的AFM和分析成分与形貌信息的SEM技术是研究表面氧化过程尤其是初期氧化十分方便有效的工具.

关键词: 碳化硅 , high temperature oxidation , roughness , topography

复杂形状SiC陶瓷的模板法成型研究进展

徐顺建 , 乔冠军

材料导报

SiC陶瓷具有良好的综合性能,广泛应用于众多工程领域.在现有制备工艺中模板法是一种有效的复杂形状SiC陶瓷的成型技术,其能力源于硅化前多孔碳质模板的易成型以及硅化前后模板的几何形状保持不变.主要综述了模板法制备复杂形状SiC陶瓷过程中所涉及的成型工艺、模板的类型、模板的孔结构要求以及硅化机理等相关问题,分析和评述了其存在的问题和发展趋势.

关键词: 模板法 , 碳化硅 , 机理 , 研究与制备

碳化硅对超高分子量聚乙烯摩擦磨损及力学性能的影响

董淑强 , 刘春林 , 刘杰 , 钱天语 , 周开源

高分子材料科学与工程

通过干、湿2种方法分别制备了超高分子量聚乙烯(UHMWPE)/碳化硅(Sic)复合材料,采用热重分析、扫描电镜、摩擦磨损测定等表征手段,研究了不同方法制备的复合材料中SiC粒子在UHMWPE基体中的分散情况,以及2种方法对复合材料摩擦磨损和力学性能的影响.结果表明,湿法制备的复合材料中SiC粒子在UHMWPE基体中分散均匀,团聚现象得到改善.在干摩擦条件下,湿法制备的UHMWPE/SiC复合材料的稳态摩擦系数最低,磨损率最小,UHMWPE的粘着磨损、磨粒磨损得到有效改善.湿法制备的复合材料力学性能优于干法.

关键词: 超高分子量聚乙烯 , 碳化硅 , 摩擦磨损 , 力学性能

X射线荧光光谱法测定含碳化硅铝质耐火材料中9种组分

陆晓明 , 金德龙

冶金分析 doi:10.13228/j.b0yuan.issn1000-7571.140190

采用6.000 0 g四硼酸锂熔剂挂壁打底铂金坩锅,0.600 0 g试样、1.500 0 g硝酸钠、1.500 0 g过氧化钡混合后放入熔剂挂壁打底坩埚内,加50 mg碘化铵为脱模剂,在750℃预氧化35 min,然后在1 100℃下熔融15 min,避免对铂金坩埚产生腐蚀,获得均匀的玻璃片.采用铝质耐火材料标准样品、碳化硅标准样品和纯试剂合成系列含碳化硅铝质耐火材料的校准样品,实现了X射线荧光光谱法(XRF)测定含碳化硅铝质耐火材料中氧化铝、总硅、氧化钾、氧化铁、氧化锰、氧化镁、氧化钙、二氧化钛、五氧化二磷等9组分.对含碳化硅的铝质耐火材料样品进行精密度考察,发现主含量组分氧化铝(w(Al2O3)=55.20%)和全硅(w(TSi)=22.50%)的相对标准偏差(RSD,n=11)为0.20%、0.23%,其他组分的RSD在0.27%~13.3%之间.采用实验方法对以标准样品和纯试剂配制的含碳化硅铝质耐火材料合成标准样品和含碳化硅铝质耐火材料实际样品进行分析,并与合成标准样品的理论值及实际样品的湿法分析值进行比对,结果显示了较好的一致性.

关键词: 碳化硅 , 铝质耐火材料 , 玻璃片 , X射线荧光光谱 , 主次组分

多孔陶瓷材料的抗热震性能

张桂花 , 仲兆祥 , 邢卫红

材料热处理学报

测定了氧化铝、碳化硅等多孔陶瓷的热膨胀性能,采用水冷法对两种多孔陶瓷进行了抗热震性能实验,测定了热震实验前后陶瓷的弹性模量以及抗折强度的变化情况。实验结果表明:氧化铝和碳化硅多孔陶瓷的平均热膨胀系数分别为7.03×10-6/K,1.14×10-6/K,表明碳化硅陶瓷具有更好的抗热震性能;陶瓷材料的强度随着热震温差的增加而降低。对碳化硅多孔陶瓷进行强度-热应力校核,碳化硅陶瓷的弹性模量随着热震温差的增加而降低,其热震临界温差范围为300~400℃。

关键词: 氧化铝 , 碳化硅 , 抗热震性能 , 水冷法 , 残余强度

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