钮晓博
,
王毅
,
钟庆东
,
王超
,
盛敏奇
,
周琼宇
腐蚀学报（英文）
用电位-电容测试和Mott-Schottky分析技术研究碳钢/环氧涂层在 5%H2SO4溶液中腐蚀失效过程的极化及半导体行为. 结果表明: 碳钢/环氧涂层在5%H2SO4溶液中浸泡10 min时形成了一个金属-绝缘体-半导体(MIS)结构, 随着浸泡时间的延长, 涂层逐渐表现出半导体的性质. 碳钢/环氧涂层在浸泡1 d时, 涂层表现为n型半导体, Nyquist图在整个频率域内其交流阻抗出现两个半圆弧, 说明此时的金属/涂层电极存在两个时间常数. 碳钢/环氧涂层在浸泡3 h到5 d时, 在电场作用下发生偶极极化, 偶极电场阻碍了涂层中载流子的迁移, 起到减缓腐蚀的作用. 偶极弛豫效应使碳钢/环氧涂层电极的电容随电位绝对值的增大而减小, 并且造成了其频率的依赖性. 碳钢/环氧涂层在浸泡7 d以上时, 碳钢与涂层形成金属-半导体接触, 随着浸泡时间延长, 载流子密度逐渐增加.
关键词:
Mott-Schottky分析
,
semiconductor
,
epoxy coating/carbon steel
,
dipole polarization
尧志刚朱晓飞张广平
材料研究学报
采用显微压痕方法研究了Si、Ge、GaAs和InP四种半导体单晶的变形与断裂行为.通过测量[100]取向单晶体面内的显微硬度、裂纹开裂的临界压痕尺寸以及断裂韧性, 分析了这四种材料力学性能的面内各向异性行为. 结果表明: 在压痕载荷的作用下, Si和Ge的塑性变形以剪切断层为主, 而GaAs和InP则通过滑移系的开动协调变形. [100]取向的Si、Ge、GaAs和InP四种单晶的面内显微硬度、弹性模量和断裂韧性表现出不同程度的各向异性. 裂纹长度与压痕尺寸间的关系表明, 与GaAs和InP相比, Si、Ge具有较小的临界压痕尺寸和拟合直线斜率, 这一临界压痕尺寸和拟合直线斜率的变化规律分别与材料的硬度和断裂韧性的变化规律一致.
关键词:
无机非金属材料
,
semiconductor
,
microhardness
,
deformation
,
fracture toughness
,
anisotropy
何金江
,
陈明
,
朱晓光
,
罗俊锋
,
尚再艳
,
贺昕
,
熊晓东
贵金属
高纯 Au、Ag、Pt、Ru 贵金属及其合金溅射靶材是半导体 PVD 工艺制程中的溅射源材料，广泛用于半导体制造工艺中，成为保证半导体器件性能和发展半导体技术必不可少及不可替代的材料。材料的高纯化、高性能贵金属及其合金靶材的制备（金属熔铸、热机械处理、粉末烧结、焊接等）以及贵金属靶材残靶及加工余料残屑的提纯回收利用是研究发展的重点，以实现贵金属靶材产品的高效增值。
关键词:
金属材料
,
半导体
,
溅射靶材
,
高纯
,
金
,
银
,
铂
,
钌
王德法
,
刘乐全
,
欧阳述昕
,
叶金花
中国材料进展
doi:10.7502/j.issn.1674-3962.2017.01.01
通过人工光合成技术把二氧化碳转换成碳氢化合物燃料,是人类梦寐以求的一种太阳能化学转化和利用的理想技术,近年来受到科学界和工业界越来越广泛的关注.从以下3个技术途径综述了近年来基于半导体和纳米金属的宽光谱响应高效人工光合成材料体系的构建与应用:①从人工光合成热力学条件出发,基于半导体能带工程设计制备新型高效人工光合成材料;②利用纳米贵金属表面等离子共振效应,设计和制备基于纳米金属的宽广谱响应人工光合成体系,可以有效拓展其光吸收范围至近红外区;③利用VIII过度族金属光热效应,设计与制备基于VIII族金属纳米粒子的全光谱响应人工光合成体系,可以有效拓展光吸收范围至红外区,使人工光合成体系具有全光谱响应.特别关注在上述人工光合成材料体系中非极性CO2分子活化、表/界面现象及光化学反应微观机制,为开发高效人工光合成材料体系提供理论和实验依据.
关键词:
综述
,
人工光合成
,
半导体
,
能带工程
,
纳米金属
,
等离子体共振效应
,
光热效应
潘珺怡
,
周涵
材料导报
从半导体光催化剂全分解水反应原理出发,介绍了近年来新开发的无机半导体光催化剂,如钽酸盐半导体,Ge基半导体、Ga基半导体,层状金属氧化物,具有d0、d10电子构型的半导体和Z型反应体系,分析了光催化效率的影响因素,并对未来做出了展望.
关键词:
半导体
,
全分解水
,
Z型反应体系
,
光催化效率
孟新静
,
周琼宇
,
钟庆东
表面技术
目的：研究黄铜在不同阳极钝化电位下形成的钝化膜的半导体性能。方法通过动电位极化曲线获取黄铜在硼酸盐缓冲溶液中的维钝电位区间，并选取3个钝化电位值对黄铜进行钝化处理，采用电化学阻抗谱和 Mott-Schottky 半导体理论研究阳极钝化电位对钝化膜半导体性能的影响，并进一步利用PDM 模型进行点缺陷扩散系数的计算。结果黄铜在硼酸盐缓冲溶液中有明显的钝化区间，不同钝化电位对应的 Mott-Schottky 直线斜率均为负值，且点缺陷扩散系数均为10-14数量级。随着阳极钝化电位的正移，钝化膜的阻抗值不断增加，受主密度降低，平带电位变小，空间电荷层厚度增加。结论黄铜在不同钝化电位下形成的钝化膜均表现出 p 型半导体的特性，膜中载流子以空穴为主，随着阳极钝化电位的正移，钝化膜的导电性能变差，耐蚀性能增强，对基体的保护作用更好。
关键词:
黄铜
,
钝化电位
,
钝化膜
,
半导体
,
Mott-Schottky分析
秦连杰
,
王卓
,
贾玉光
,
徐惠忠
,
王广东
功能材料
制备了不同氧分压比的AgOx薄膜,对其进行了原子力(AFM)形貌观察,发现分压比0.4时,薄膜的粗糙度最小,均匀性也最好.光谱性质表明:随着分压比的增加,存在着金属向半导体的转变;经过热处理后的共振吸收峰和扫描电(SEM)表明了金属银粒子的析出.不同激光功率下的烧蚀实验表明:在激光照射下存在着两记录(烧蚀)形态,一种是银粒子散布在其间的气泡型;另一种是形成中间烧蚀孔,银粒子在孔附近密集的破裂气泡型.
关键词:
氧化银薄膜
,
激光烧蚀
,
半导体
,
金属纳米粒子
宫建红
,
林淑霞
,
阮立群
,
高军
功能材料
通过在铁基合金中加入硼粉的方法,制成含硼量0.2%(质量分数)的Fe-Ni-C-B系触媒,用静压法合成含硼金刚石.研究了普通金刚石和含硼金刚石的形貌、晶体结构、电阻-温度曲线和抗氧化性.实验表明,合成的含硼金刚石具有良好的半导体性,电离能ΔE=0.368eV;起始氧化温度比普通金刚石高185℃,耐热性明显改善.此方法为低成本、大批量的制备半导体金刚石提供了新的途径.
关键词:
金刚石
,
硼
,
半导体性能
,
抗氧化性
于雪莲
,
曹传堂
,
曹传宝
,
朱鹤孙
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.03.012
应用软模板法成功制备了半导体硫化铅树枝状纳米结构.此反应是在非离子表面活性剂Triton X-100存在下进行的,具有条件温和,操作简单等优点.对反应过程中硫化铅各向异性生长的影响因素进行系统的阐述,通过简单地控制反应时间及表面活性剂的加入量就可得到纳米棒、纳米分枝结构以及立方结构.考虑到形貌对半导体性能有重要影响,这一实验结果的取得应具有很高的实际应用价值.
关键词:
分支生长
,
半导体
,
纳米结构
,
软模板
