李璇
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麻尉蔚
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马凤凯
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狄聚青
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郑丽和
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姜大鹏
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苏良碧
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杨秋红
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徐军
人工晶体学报
采用提拉法分别生长了具有高光学质量的0.5at％和1.0at％的Ho∶ Sc2SiO5(Ho∶ SSO)激光晶体.研究表明晶体空间群为C2/c,晶胞参数为a=0.99723 nm,b=0.64261 nm,c=1.16843 nm,β=103.9°.Ho3+在SSO基质中的分凝系数为0.82.Ho∶ SSO晶体在2085nm处发射截面为1.12×10-20 cm2,发射光谱呈现一个1850～2150nm的宽发射带.当粒子数反转比率β=0.25时,增益截面σg即开始出现正增益.综合评估了晶体的激光性能,表明Ho∶SSO晶体是一种有潜力的2μm波段激光介质.
关键词:
Sc2SiO5
,
激光晶体
,
提拉法
,
分凝系数
,
发射光谱
李洪峰
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韩剑锋
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杨国利
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莫小刚
人工晶体学报
采用提拉法生长了掺杂3.0at％,5.0at％和10.0at％浓度的Sin∶ YAG晶体.采用ICP-AES方法初步测试了Sm离子在晶体中的浓度,并根据测试结果计算了Sm离子在晶体中的分凝系数,探讨了生长高掺杂浓度晶体的生长条件,测试了其在可见光及近红外光波段的吸收光谱.结果表明,Sin∶ YAG晶体在80 ～900 nm处几乎完全透明,在Nd∶ YAG晶体的发射波段,可有效吸收1064 nm的近红外光,且随着掺杂浓度的增加,其吸收效果越强.这表明Sin∶ YAG晶体对于高功率Nd∶ YAG激光器工作过程中产生的放大自发辐射现象引起的寄生振荡具有较好的抑制作用.
关键词:
Sm∶YAG晶体
,
掺杂浓度
,
分凝系数
,
放大自发辐射
