马天军
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陈振海
,
俞世吉
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孙建海
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伊福廷
,
刘濮鲲
材料热处理学报
在充分考虑电子枪栅极的工作环境后,对铪(Hf)栅极进行了800、900和1000℃的真空退火处理,对其组织、织构特点进行了分析,并利用离子束辅助沉积技术在Ba-W阴极表面分别沉积金属钼膜和铪膜,以模拟栅控行波管中钼栅极和铪栅极表面吸附阴极蒸发物质时的表面状态,测试了这两种栅极表面“热电子发射”能力和“二次电子发射”系数.结果表明,随着退火温度的升高,铪(Hf)栅极的结晶度、晶粒尺寸增加,织构减少,铪的最佳退火温度为900℃,铪栅极表面吸附的阴极发射物质要远少于钼栅极,用金属铪作栅极材料能有效抑制栅电子发射.
关键词:
退火
,
铪
,
织构
,
栅发射
,
二次电子发射
韦海成
,
许亚杰
,
肖明霞
,
吉文欣
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20173206.0467
为了研究MgO晶体和二次电子发射效率间的关系,分析了直接沉淀镁盐法生成Mg(OH)2以及三段式温度煅烧Mg(OH)2制备MgO晶体的过程,并使用扫描电镜和XRD对制成的MgO晶体进行了表征.在此基础上,采用第一性原理对MgO晶体的能带结构和态密度进行了计算,分析了晶体表面的结晶取向对MgO二次电子发射系数的影响.实验结果表明,本方法制备的MgO为立方晶体,且晶粒尺寸均匀分布在40.65 nm附近,晶面取向为(200)、(111)、(220),并沿(200)取向择优生长.常见的(110)、(100)和(111)三种晶面取向中,表面(110)取向的MgO晶体禁带宽度最低,材料表面的二次电子发射系数相对较高.
关键词:
MgO晶体
,
二次电子发射系数
,
第一性原理
,
直接沉淀法
韦海成
,
李海燕
,
张秀霞
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20163103.0265
采用电子束蒸镀工艺制备氧化钙掺杂氧化镁复合介质保护膜并深入分析了制备温度对该复合保护膜透过率及二次电子发射效率的影响.实验表明,高温制备能够使复合薄膜表面形貌更为致密,结晶粒径增加,薄膜的透过率和发光效率提高.当制备温度为300℃时,复合薄膜的形貌更为致密平整,裕度从25 V增加到32 V,发光效率从1.70 lm/W提高到1.91 lm/W,提高了12.35％.
关键词:
氧化镁
,
介质保护膜
,
二次电子发射
