徐家跃
,
王杰
,
陈炜
,
肖学峰
,
杨波波
,
王占勇
,
李飞
,
谢会东
无机材料学报
doi:10.15541/jim20160061
以Si(OC2H5)4和Bi(NO3)3·5H2O作为前驱体、柠檬酸作为溶剂,按化学计量比配料,采用溶胶-凝胶法合成并经高温烧结制备了纯相Bi4Si3O12多晶粉末,每批次可合成250 9.以此为原料、〈001〉取向BSO为籽晶,在坩埚下降炉内生长了BSO晶体,讨论了晶体的析晶行为,获得了30 mm× 30 mm×210 mm的高质量BSO晶体.闪烁性能测试表明,该晶体能量分辨率为18.9％,光输出为同等条件下CSI(T1)晶体的7.2％.
关键词:
溶胶-凝胶法
,
硅酸铋晶体
,
坩埚下降法
,
晶体生长
,
闪烁性能
王晴晴
,
史坚
,
李焕英
,
陈晓峰
,
潘尚可
,
卞建江
,
任国浩
无机材料学报
doi:10.15541/jim20160307
用坩埚下降法生长得到Cs2LiY 0.95Cl6∶ 5％Ce(CYLC)闪烁晶体,通过X射线衍射分析证明Cs2LiYCl6∶Ce的晶体结构属于钾冰晶石结构,并与理论计算结果基本吻合.在吸收光谱中观测到源于Ce3+离子从4f向5d1～5电子跃迁的吸收峰和自陷激子吸收峰.X射线和紫外激发和发射光谱测试表明,位于300 nm的发光属于Cs2LiYCl6∶Ce晶体的本征芯价发光,321 nm的发光归因于自陷激子发光,350～450 nm范围的发光属于Ce3+离子5d-4f跃迁发光.在37Cs源伽马射线激发下,CYLC晶体的能量分辨率达到8.1％,衰减时间分别为58 ns和580 ns.综上所述可知,Cs2LiYCl6∶Ce晶体将是一种在中子和伽马射线分辨领域具有广泛应用前景的闪烁晶体.
关键词:
Cs2LiYCl6∶Ce晶体
,
坩埚下降法
,
晶体结构
,
闪烁性能
王映光
,
魏钦华
,
秦来顺
,
史宏声
人工晶体学报
Cs2NaGdBr6∶ Ce(CNGB∶ Ce)是新近发现的性能优异的闪烁晶体,本文用Bridgman法成功制备出尺寸达φ25×25 mm3的CNGB∶Ce单晶,并测试了CNGB∶Ce晶体的相关闪烁性能.荧光光谱和X射线激发发射光谱测试结果表明CNGB∶Ce晶体主要有两个发射峰,分别位于383 nm和418 nm附近,分别对应于Ce3+的5 d→4f12F5/2和5d→4f12F7/2跃迁发射.γ射线能谱测试表明CNGB∶Ce晶体的光输出约为LaBr3∶Ce晶体的2/3,在662 keV处的能量分辨率为6.2％,衰减时间为76 ns左右,这些特点使得CNGB∶Ce晶体有望成为实用化的新型闪烁晶体.
关键词:
溴钆钠铯单晶
,
布里奇曼
,
能量分辨率
,
闪烁性能
叶乐
,
史坚
,
李焕英
,
陈晓峰
,
黄跃峰
,
徐家跃
,
任国浩
无机材料学报
doi:10.15541/jim20160381
通过坩埚下降法生长GdI3∶2％Ce及无掺杂GdI3闪烁晶体,得到φ15 mm×20 mm的晶体毛坯,从中加工出尺寸分别为12 mm×10 mm×2.5 mm和11 mm×8 mm×2.5 mm的无包裹体、无开裂的晶体样品,封装后检测该晶体光学性能.XRD分析结果表明:掺杂晶体GdI3∶2％Ce与无掺杂GdI3晶体结构相同.X射线激发发射(XEL)和紫外激发发射谱(PL)测试结果显示:GdI3∶2％Ce晶体在450～700 nm有宽带发光峰,发光峰位分别位于520 nm和550 nm,对应于Ce3+的5d-4f跃迁发光.以550nm为监控波长,测得在紫外激发下存在三个激发峰,分别位于262、335和440 nm.GdI3∶2％Ce晶体在137Cs源伽马射线(662 keV)激发下能量分辨率为3.4％,通过高斯拟合得到的衰减时间为58±3 ns.研究表明,GdI3∶2％Ce晶体是一种良好的伽马和中子探测材料,具有广泛的应用前景.
关键词:
GdI3∶2％Ce晶体
,
坩埚下降法
,
闪烁性能
