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膨润土的有机改性与球磨细小化及其助留性能研究

陈威 , 李友明 , 万小芳

功能材料

采用十八烷基三甲基溴化铵(STAB)对膨润土进行了有机改性并对改性膨润土球磨细小化。对制得的改性膨润土进行了扫描电镜(SEM)、傅里叶红外光谱(FT-IR)、X射线衍射(XRD)实验分析。结果表明,有机表面活性剂STAB已经进入膨润土的片层间,层间距由1.256nm增大到2.694nm;晶面间距增大的最佳实验条件为:STAB用量为40%,反应时间为4h,反应温度为75℃。通过对球磨后的改性膨润土进行SEM观察发现,球磨时间2h能使其颗粒基本达到亚微米至纳米级,粒度分布范围为100~500nm。对球磨改性膨润土与阳离子聚丙烯酰胺(CPAM)协同助留废旧瓦楞箱纸板(OCC)浆的研究发现,粒度较小、均匀性较好的球磨改性膨润土的助留效果优于CPAM/改性膨润土助留助滤体系。

关键词: STAB , 膨润土 , 有机改性 , 球磨 , 留着率

海藻酸钙水凝胶过滤膜的制备及其对硫酸钙的截留

郑海燕 , 马敬环 , 赵孔银 , 黄海滨 , 刘莹 , 魏俊富 , 张新新

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.04.029

以尿素为致孔剂制备了海藻酸钙(CA)水凝胶过滤膜,测试了其通量、截留率和力学性能;通过扫描电子显微镜(SEM)观测其过滤硫酸钙前后的表面形貌.结果表明,增加尿素含量,均导致膜应力和应变的下降;而膜的纯水通量则迅速增大,尿素含量为3.0%(质量分数)时达到28.7 L/(m2·h),为最大;0.2 MPa下,过滤1.7 g/L 硫酸钙时对 Ca2+和 SO 2-4的截留率分别为83%和92%,稳定通量达到21.7 L/(m2·h).

关键词: 纳滤 , 海藻酸钙 , 尿素 , 硫酸钙 , 通量 , 截留

有机改性硅藻土填料制备及应用研究

尚尉 , 钱学仁 , 梁虎南 , 谢金宏 , 段鹏飞

硅酸盐通报

为了改进填料性能,增强填料留着率及其与纤维之间的结合力,本文采用有机包覆改性法对硅藻土进行改性.采用电子扫描电镜、zeta电位分析仪,对改性硅藻土填料的表面形态、zeta电位进行了分析.研究了淀粉-脂肪酸复合物包覆改性硅藻土的使用性能.结果实验发现,硅藻土的包覆率达到98%以上,淀粉-脂肪酸复合物能够较好的包覆硅藻土.本研究将改性硅藻土用于造纸填料进行抄片,加入量为4%~16%,检测手抄片的物理性能.研究发现,与填加未改性硅藻土纸张相比,手抄片的抗张强度、撕裂度、挺度、耐折度、松厚度都有改善和提高,当改性硅藻土用量为8%时,留着率超过74%.抗张强度可提高21%.

关键词: 淀粉-脂肪酸 , 硅藻土 , 留着率 , 手抄片 , 物理性能

复合改性剂对硫酸钙晶须的表面改性及溶解抑制研究

王力 , 庄春艳 , 主曦曦 , 刘聪 , 孟德琴 , 方杰

功能材料

设计了一种LZ复合表面改性剂,旨在抑制硫酸钙晶须的溶解,提高其留着率。考察了不同因素对硫酸钙晶须留着率的影响,得出了最佳改性条件,使晶须留着率由60.50%提高为93.67%。对改性前后硫酸钙晶须的表面性质进行IR表征及SEM观察,结果表明晶须表面发生了多层包覆与吸附,在此基础上建立了改性模型。

关键词: 硫酸钙晶须 , 表面改性 , 溶解抑制 , 改性剂 , 留着率

外场下NBT-KBT100x压电薄膜畴变演化、保持特性及印记的研究

朱哲 , 郑学军 , 张丹书

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2013.12492

采用金属有机物分解法制备了不同K含量的弛豫型压电薄膜(1-x)Na0.5Bi0.5TiO3-xK0.5Bi0.5TiO3(NBT-KBT100x).利用压电力显微镜研究了外场条件下纳米级铁电畴翻转,以及保持性能和印记失效.结果表明:(1)不同组分中,NBT-KBT17薄膜单畴态的晶粒个数最多.选取NBT-KBT17薄膜分别测试了其面内极化分量和面外极化分量,该薄膜的面内压电信号较强,这说明薄膜在d31模式下的压电响应明显.(2)选择NBT-KBT17薄膜中较大尺寸的单晶,实现了对弛豫性铁电体的电畴写入.将其在大气环境下放置不同时间,出现了退极化现象,但总的畴态稳定,表明其保持性能较好.(3)制备了NBT-KBT17原理型薄膜电容器,分别测试了加载作用前后NBT-KBT17薄膜电容器的相位和振幅滞后回线图.结果表明外加作用力使相位回线向右发生了一定的移动,且振幅的蝶形曲线均在不同方向上发生了偏移,同时形状也发生了改变.最后,利用空间电荷原理分析了外加力导致薄膜印记产生的机理.

关键词: 压电力显微镜 , 畴翻转 , 保持性 , 印记

面向等离子体材料钨中氘/氦滞留行为的研究进展

王维 , 叶小球 , 陈长安 , 李强 , 金伟 , 杨勇彬 , 高涛

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2017.09.015

作为面向等离子体材料,钨(W)在服役的过程中不仅受到等离子体造成的高能热负荷的作用,还受到高束流粒子如氘(D)、氚(T)、氦(He)等的轰击和D-T聚变反应产生的高能中子的影响.W中D、T、He的滞留和起泡,仍是聚变堆装置中有待解决的关键问题之一.综述了D、T和He的滞留行为及其气泡形成与辐照条件之间的关系,简要评述了W的服役性能和强化机理.通过降低W中D/He滞留量、抑制气泡的形成可有效改善W的服役性能.深入研究D/He滞留行为与辐照缺陷之间的相互作用关系,进而构建D/He的宏观热脱附行为与其微观状态之间的对应关系,为寻找合适途径来改善W的服役性能提供理论支撑.

关键词: , , , 滞留 , 起泡

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