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低限流下含Ag电极的BiFeO3薄膜的阻变开关特性

闫小兵 , 李玉成 , 闫铭 , 杨涛 , 贾信磊 , 陈英方 , 赵建辉 , 李岩 , 娄建忠

人工晶体学报

采用磁控溅射系统在Pt衬底上构建了Ag/BiFeO3 (BFO)/Pt三明治结构的阻变存储器件单元,该器件可以在较低的限制电流下实现阻变行为并显著降低功耗.在0.5 μA的低限制电流下,器件具较好双极I-V滞回曲线,开关电阻比值超过1个数量级,有效开关次数达500次以上,阻态保持时间超过1.8 ×104 s,有较好的保持特性.分析了该Ag/BFO/Pt器件的阻变开关机制,主要归因于Ag原子在BFO薄膜内的氧化还原反应引起的金属导电细丝的形成与断开.

关键词: 阻变存储器 , 低限制电流 , 开关机制 , 导电细丝

半导体学报（英文版） doi:10.1088/1674-4926/33/5/054011

关键词:

阳离子迁移型阻变存储材料与器件研究进展

高双 , 曾飞 , 宋成 , 潘峰

材料科学与工艺 doi:10.11951/j.issn.1005-0299.20160401

硅基闪存是当前半导体市场的主流非易失性存储器，但其小型化日益接近物理极限。阳离子迁移型阻变存储器是下一代高速、高密度和低功耗非易失性存储器的有力竞争者之一，近些年受到科学界和工业界的广泛关注。本文从材料、阻变机理和器件性能3个方面综述了阳离子迁移型阻变存储器的研究进展，其中材料部分包括电极材料和存储介质，阻变机理部分包括金属导电细丝的存在、生长模式和生长动力学，而器件性能部分包括开关比、擦写速度、擦写功耗、循环耐受性、数据保持特性以及器件小型化潜力。最后，对本领域的未来研究重点进行了展望。

关键词: 阻变存储器 , 阳离子迁移 , 氧化还原反应 , 金属导电细丝 , 非易失性存储器

一种联苯型聚酰亚胺阻变存储器的制备及性能

范丽丽 , 戴培邦 , 卢悦群

绝缘材料 doi:10.16790/j.cnki.1009-9239.im.2016.03.007

以芳香长链二胺2，2-双（4-氨基苯氧基苯基）丙烷和3，3'，4，4'-联苯四甲酸二酐为原料，通过溶液缩聚法合成聚酰胺酸溶液，采用旋涂法将聚酰胺酸涂于ITO玻璃上，经亚胺化获得一种联苯型聚酰亚胺薄膜作为功能层，制备出一种有机阻变存储器。对该联苯型聚酰亚胺进行结构表征并研究其热稳定性，采用伏安特性分析仪研究有机阻变存储器的阻变存储性能。结果表明：合成的联苯型聚酰亚胺具有良好的热稳定性；制备的有机阻变存储器具有良好的阻变性能及耐疲劳性能。

关键词: 联苯型聚酰亚胺 , 阻变存储器 , 阻变性能