楼翰一
,
朱圣龙
,
王福会
,
吴维(?)
金属学报
研究了平面磁控直流反应溅射法沉积氧化铝薄膜的过程。结果表明氧分压大小对反应溅射过程有决定性作用,当氧分压增大或减小过程中存在两个阈值。氧分压小于阈值为金属Al溅射区,大于阈值为氧化铝溅射区。在阈值附近总气压、溅射电压和沉积速率发生突变,溅射特性(V-J)曲线有不同规律。沉积的氧化铝膜为非晶态,高温下可晶化,本文还讨论了反应溅射的机理。
关键词:
氧化铝膜
,
amorphous film
,
reactive sputtering
曲彬
,
张金林
,
贺春林
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.12.007
利用直流反应溅射技术在不锈钢和硅基体上沉积了 TiN 纳米晶薄膜,采用场发射扫描电镜(FESEM)、X 射线衍射(XRD)和电化学阻抗谱(EIS)技术研究了薄膜的表面形貌、相结构和耐蚀性与偏压的关系。结果表明, TiN 薄膜的表面结构明显取决于所施加的偏压,适当提高偏压有利于获得细小、均匀、致密和光滑的膜层。XRD 分析发现,TiN 薄膜为面心立方结构,其择优取向为(111)面。实验显示,对应0 V 和-35 V 偏压的薄膜为欠化学计量比的,而偏压增加至-70 V 和-105 V 时的薄膜为化学计量比的 TiN。EIS 结果表明,较高偏压下的 TiN 薄膜几乎在整个频率范围内均表现为容抗特征,其阻抗模值明显高于低偏压下的膜层,这主要与较高偏压下的薄膜具有相对致密的微结构有关。较低偏压的 TiN 薄膜因结构缺陷较多其耐蚀性低于基体不锈钢。EIS 所揭示的薄膜结构特征与 FESEM 观测结果一致。可见,减少穿膜针孔等结构缺陷有利于改善反应溅射 TiN 纳米晶薄膜耐蚀性。
关键词:
TiN
,
纳米晶薄膜
,
反应溅射
,
微结构
,
耐蚀性
严彪杰
,
张向东
,
白彬
,
杨飞龙
表面技术
目的：减小 Ni/ Ti 多层膜表面粗糙度,提高 Ni/ Ti 多层膜对中子束的反射率。方法采用离子束辅助沉积设备沉积 Ni/ Ti 周期性多层膜,通过不同抛光时间和不同离子能量轰击对多层膜界面进行清洗抛光；采用反应溅射法,在镀 Ti 层时使用氢气和氩气混合气为工作气体,将 H 原子掺入 Ti 层以改变晶粒结构而影响多层膜界面状态。结果随着辅助离子源功率的增加,Ni/ Ti 多层膜的表面粗糙度增加；在合适的离子能量下,随着抛光时间的不断增加,Ni/ Ti 多层膜的表面粗糙度逐渐减小。 Ti 层中掺 H 的Ni/ Ti多层膜比未掺 H 的多层膜表面粗糙度小,界面更加清晰。结论低能量的离子轰击条件下,适当的抛光时间能对多层膜实现较好的抛光效果。 Ti 层中掺入 H 原子,抑制了 Ni 原子与 Ti 原子的扩散,减小了 Ti 膜层晶粒大小,从而抑制了表面粗糙度的增加。
关键词:
中子超镜
,
Ni/ Ti 多层膜
,
粗糙度
,
离子抛光
,
反应溅射
王孝
,
闫璐
,
李莹
,
曹韫真
无机材料学报
doi:10.15541/jim20150302
采用等离子体辉光监控系统(PEM)反馈控制反应溅射过程,在石英基底上制备出单斜相VO2薄膜,并研究了反馈控制下反应溅射的等离子体相对辉光强度与氧气流量的关系.实验结果表明:在不同的反应压强(0.8 Pa、0.5 Pa、0.2 Pa)下,通过调整相对辉光强度值(REI)均可稳定获得单斜相VO2薄膜,对应的REI值分别为0.6～0.65、0.65、0.6.XRD测试结果表明VO2薄膜具有明显的(011)晶面取向,XPS测试结果表明薄膜的化学计量比为VO2.02.VO2薄膜在2.5 μm处的变温透过率测试结果显示薄膜在相变前后的透过率变化达到65％,相变温度确定为66℃.
关键词:
二氧化钒
,
等离子辉光监控
,
反馈控制
,
反应溅射
,
薄膜
张华
,
李帅
,
何迪
,
杜淼
,
吴云翼
,
王树茂
,
刘晓鹏
,
蒋利军
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.11.028
采用反应溅射法在316L不锈钢上制备了氧化铝(Al2 O3)涂层.研究了涂层厚度与微观结构,以及氢渗透性能之间的关系,并对涂层的热循环性进行了评估.采用 SEM 分析 Al2 O3涂层的微观形貌,采用气相氢渗透装置对涂层氢渗透行为进行评价.结果表明Al2 O3涂层的氢渗透压力指数为0．52~0．88,说明氢渗透过程机制为表面过程和体扩散过程共同控制,且体扩散过程随温度升高而增强.涂层厚度对涂层表面形貌和氢渗透性能有较大影响,涂层表面质量、阻氢性能都随涂层厚度增加先上升后降低.110 nm 厚的 Al2 O3涂层有优良的阻氢性能,热循环前后的氢渗透降低因子(PRF)分别达316和298.
关键词:
氧化铝
,
反应溅射
,
氢渗透
,
涂层厚度
谢挺
,
祝柏林
,
杨玉婷
,
张俊峰
,
龙晓阳
,
吴隽
人工晶体学报
利用Zn/ZnO复合靶材,通过射频磁控溅射技术,在衬底温度为150℃时分别在Ar+O2和Ar+H2的混合气氛中制备ZnO薄膜,通过干涉显微镜、XRD、Hall效应测试仪、紫外-可见分光光度计研究了O2和H2流量对薄膜结构及透明导电性能的影响.结果发现,薄膜厚度随O2流量增加而明显增加而随H2流量增加呈下降趋势.只有通入合适流量的O2或H2,薄膜才能保持(002)择优取向、较高的结晶度以及较小的压应力,同时在薄膜中形成高浓度Vo和/或Hi等缺陷,因此有效降低ZnO薄膜的电阻率,并保持高的透光率,从而改善ZnO薄膜透明导电性能.当前研究中,当O2和H2流量分别为0.4 sccm和2.0 sccm时,得到的最低电阻率分别为6.33×10-3和2.51×10-3Ω·cm,平均透光率均大约为81.5％,相应的最高品质因子分别为1.04×10-3和1.29×10-3 Ω-1.
关键词:
Zn/ZnO复合靶
,
反应溅射
,
气体流量
,
ZnO薄膜
,
结晶度
,
透明导电性
