徐义库
,
刘林
,
张军
,
材料热处理学报
采用光辐射加热悬浮区熔法以3 mm/h的生长速度成功制备了Tb2PdSi3单晶.通过分析得知,该化合物为同成分熔融化合物,熔点约为1700℃.和其它R2PdSi3型化合物(R为稀土元素)不同,在单晶基体中没有发现TbSi沉淀,分析原因可能是因为晶体中Tb含量略高于化学计量比.采用X射线Laue背散射实验对晶体的晶格结构和高完整性进行了验证,并对定向单晶的a和c方向磁化率-温度曲线进行了测定.
关键词:
悬浮区熔
,
单晶生长
,
稀土化合物
,
磁性能
徐义库
,
王丹丹
,
宋绪丁
,
于金丽
,
肖君霞
,
郝建民
,
刘林
,
张军
,
L(O)SER Wolfgang
材料热处理学报
新型磁盘存储材料Eu2PdSi3单晶制备由于Eu的挥发问题一直是一个难点.本文采用光辐射加热悬浮区熔法尝试制备了Eu2PdSi3单晶.采用标准化学成分配比制备给料棒,制备出的Eu2PdSi3晶体为胞状晶,分析是由于熔区成分发生变化,发生成分过冷导致胞状组织;采用给料棒成分调整法成功生长出大块Eu2PdSi3晶体.研究发现,采用3 MPa循环Ar气并不能完全抑制Eu在高温下的挥发,继续增大保护气体的压强配合给料棒成分调整,有利于解决Eu元素的挥发问题.
关键词:
悬浮区熔
,
单晶生长
,
稀土化合物
,
胞状组织
