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靳瑞敏 , 罗鹏辉 , 陈兰莉 , 郭新峰 , 卢景霄
人工晶体学报
用PECVD法直接沉积的非晶硅(a-Si:H)薄膜在中温情况下光退火,然后用XRD、Raman光谱和SEM分析,发现晶粒大小随退火温度和退火时间呈现量子态现象.平均晶粒大小为30nm左右.
关键词: PECVD法 , 非晶硅薄膜 , 光退火 , 量子态 , 晶粒大小
