张耀
,
钟志源
,
朱敏
金属学报
采用脉冲激光沉积(PLD)方法在镀Pt的Si衬底上制备了LiCoO2薄膜, 运用XRD、Raman光谱、SEM和循环伏安等方法对其结构与电化学性能进行表征, 在此基础上着重采用电位间歇滴定技术(PITT)对其Li离子表观扩散进行了分析. 结果表明,600℃制备的LiCoO2薄膜为HT-LiCoO2相, 呈柱状晶结构, 平均晶粒尺寸在100 nm以下, 结晶度高, 并且具有明显的[001]择优取向, 但少量缺Li. 伏安循环曲线表明, 该LiCoO2薄膜具有良好的电化学可逆性, 但只在3.9 V(vs Li)附近出现一对氧化还原峰. PITT测试表明, PLD方法制备的HT-LiCoO2薄膜的Li离子扩散系数在10-8—10-9 cm2/s, 与其它方法(如射频磁控溅射)制备的HT-LiCoO2薄膜相比, 扩散系数高1—2个数量级; 并且PLD方法制备的HT-LiCoO2薄膜中Li离子扩散系数与相变有关, 在两相共存区, 由于相界钉扎的作用, Li离子扩散系数比其它区域小1—2个数量级.
关键词:
LiCoO2
,
pulsed laser deposition
,
thin film battery
L.Zhuang
,
K.H.Wong
金属学报(英文版)
The structural and surface properties of high-quality epitaxial cubic MgxZn1-xO films deposited by pulsed laser deposition (PLD) were studied by X-ray diffraction and atomic force microscopy respectively. For films of about 500nm thick, scans over a 30μm × 30μm area revealed a surface roughness Ra of about 100nm. This relatively large surface roughness is primarily attributed to the particulate and outgrowth during the PLD process. A good epitaxial growth on LaAlO3 (LAO) (100) substrates, however has been obtained for composition x = 0.9, 0. 7 and 0.5 with the heteroepitaxial relationship of ( 100 ) MgxZn1-xO//(100)LAO (out-of-plane) and (011)MgxZn1-xO// (010)LAO (in-plane). These structural qualities suggest that cubic MgxZn1-xO alloys films have good potential in a variety of optoelectronic device applications.
关键词:
pulsed laser deposition
,
null
,
null
李毅
,
王海方
,
俞晓静
,
黄毅泽
,
张虎
,
张伟
,
朱慧群
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2009.12.020
基于半导体和金属间的相变特性,伴随着温度、电场、压力的变化,具有相关智能特性的VO_2薄膜材料具有较大的应用潜力.本文主要阐述脉冲激光沉积技术在制备金属氧化物方面的物理过程和技术特点,详细介绍脉冲激光沉积制备VO_2薄膜材料的工艺参数和国内外研究进展,并与几种常规制备方法进行对比,给出脉冲激光沉积掺杂对VO_2薄膜材料特性的影响,以及采用脉冲激光沉积制备VO_2纳米材料,讨论了脉冲激光沉积制备具有智能特性的VO_2薄膜材料存在的问题和发展方向.
关键词:
脉冲激光沉积
,
VO_2
,
薄膜
,
制备
,
掺杂
季振国
,
吴家亮
,
曹虹
,
席俊华
,
李红霞
材料科学与工程学报
利用反应脉冲激光沉积法,以金属钴为靶材,通过改变衬底温度、反应气体氧气的流量等工艺参数,先后在玻璃衬底上成功制备了CoO薄膜以及Co3O4薄膜。通过X射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）、紫外-可见光吸收光谱（UV-Vis）研究了沉积工艺参数对沉积薄膜的晶体结构和光学特性的影响。结果表明,当氧气流量小于15sccm时,沉积的薄膜为岩盐矿结构的CoO,而当氧气流量大于15sccm时,沉积的薄膜为尖晶石矿结构的Co3O4。通过对紫外-可见吸收光谱的数据分析,证明CoO和Co3O4薄膜均为间接能带结构,禁带宽度分别为0.82eV和1.21eV。
关键词:
脉冲激光沉积
,
钴氧化物
,
禁带宽度
,
光学性能
邓赞红
,
方晓东
,
陶汝华
,
董伟伟
,
周曙
,
孟钢
,
邵景珍
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00281
采用脉冲激光沉积法制备了CuAlO2薄膜. 在沉积激光能量100~180mJ范围内原位沉积的薄膜并在N2气氛下900℃异位退火1h处理后, 所有薄膜均为高度 c 轴取向的单相CuAlO2薄膜, 晶粒尺寸~49nm. 随着沉积激光能量的增大, 薄膜厚度增加, 表面颗粒尺寸明显增大, 在可见光区的平均透射率下降. 室温光致发光谱发现, CuAlO2薄膜在350nm附近有一个自由激子复合发光峰, 说明在CuAlO2宽带隙半导体中存在直接带间跃迁, 这对于该材料在光电子领域如发光二极管的应用具有重要意义.
关键词:
脉冲激光沉积
,
CuAlO2 films
,
optical band energy
,
room-temperature photolumine scence spectra
朱敏
,
殷江
,
刘治国
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2000.04.011
用紫外脉冲激光淀积方法在Pt／TiO2／SiO2／Si(001)衬底上制备了La1-xSrxCoO3／Pb(Ta0.05Zr0.48Ti0.47)O3(PTZT)／La1-xSrxCoO3异质结构薄膜。发现底电极La0.25Sr0.75CoO3可以诱导PTZT薄膜沿(001)方向取向生长。在500kHz和5V的工作电压下铁电电容器La0.25Sr0.75CoO3/PTZT／La0.25Sr0.75CoO3经过5×1010次反转之后，仍保持其初始电极化的96％。此异质结构横截面的扫描电镜照片表明界面上没有明显的因化学反应导致的第二相存在。
关键词:
脉冲激光淀积
,
铁电薄膜
,
疲劳特性
张青
,
陈传胜
,
宋建强
,
郑晓华
电镀与涂饰
采用直流辉光放电辅助PLD(脉冲激光沉积)法制备了CNx涂层,通过正交试验研究了气压、激光通量、放电功率密度和靶基距等工艺参数对CNx涂层的氮含量、摩擦因数和磨损率的影响,利用扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱仪(XPS)和球-盘式微型摩擦仪对涂层的表面形貌、化学成分以及摩擦学特性进行了表征.结果表明,辉光放电辅助PLD制备的CNx涂层比传统PLD涂层光滑,且工艺参数对涂层表面形貌的影响较小.激光通量对涂层的氮含量、摩擦因数和磨损率的影响较为显著,放电功率密度的影响最小.涂层的耐磨性随涂层氮含量的升高而降低.当气压为12 Pa、激光通量为6.7 J/cm2、放电功率密度为30 mW/cm2和靶基距为37 mm时,涂层中氮原子分数为32.2％,沉积速率为0.83 μm/h,摩擦因数为0.122,磨损率为1.13×10-13 m3/(N.m).
关键词:
氮化碳涂层
,
脉冲激光沉积
,
辉光放电
,
氮含量
,
摩擦因数
,
磨损率
张亦文
,
李效民
,
赵俊亮
,
于伟东
,
高相东
,
吴峰
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00531
采用脉冲激光沉积(PLD)方法在MgO/TiN/Si(100)衬底上, 生长不同In掺杂量的SrInxTi{1-xO3(x=0、0.1、0.2)薄膜, 研究In掺杂及本征SrTiO3(STO)缓冲层对薄膜结晶性能、表面形貌、生长模式及紫外拉曼光谱特性的影响. 结果表明, In掺杂导致薄膜结晶度降低, 通过引入本征STO缓冲层可有效提高In掺杂STO薄膜的结晶度, 增强薄膜的(200)择优取向性. 然而随In掺杂量的增加, 薄膜表面平均粗糙度增大; 生长模式由层状生长转变为岛状-层状复合模式; 拉曼一次声子振动模式峰强逐渐增强, 说明薄膜的晶体对称性降低.
关键词:
脉冲激光沉积法
,
SrTiO3 film
,
buffer layer
,
crystallinity
