李世直
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徐翔
金属学报
采用直流等离子体化学气相沉积技术,在高速钢、Si(100)和Si(111)基体上沉积TiN膜,并对膜的晶体结构、表面形貌、断口结构、显微硬度、氯含量等进行了测定和分析,部分样品进行了二次离子质谱(SIMS)、Auger谱(AES)和X光光电子谱(ESCA)等分析.试验表明:在不同基材上沉积的TiN膜,只要沉积参数相同,膜的结构和性能都相同.在沉积温度500℃左右,TiN膜的生长方式有一转变,即可能是由层生长转变为岛状生长.直流PCVD法生成的TiN膜,其N:Ti≈1:1,有强的(200)织构,膜与基体间有较宽的共混区,因而结合强度高和耐磨性好,适于用作耐磨镀层.
关键词:
等离子体化学气相沉积
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TiN film
周晶晶
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肖少庆
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姚尧
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顾晓峰
人工晶体学报
本文利用容性放电模式(E-mode)的电感耦合等离子体(ICP)化学气相沉积技术,在低温(100℃)下采用硅烷(SiH4)、氮气(N2)和氢气(H2)作为先驱反应气体制备氢化氮化硅薄膜(SiNx∶H),并通过傅里叶红外光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子能谱仪(XPS)对薄膜的键结构、键密度、氢含量以及化学组成进行表征.采用少子寿命测试仪(Sinton WCT-120)研究薄膜在n型晶硅表面的钝化效果.结果表明,氮硅原子比为0.4的SiN0.4∶H薄膜具有最高的氢含量,高达29％,而且其钝化效果最好.最高少子寿命达到251μs,表面复合速率降低至85 cm/s,Suns-Voc测到的提示开路电压达到652 mV.
关键词:
SiNx
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等离子体化学气相沉积
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表面钝化
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容性放电
