张涛
,
张淑仪
,
李敏
,
周胜男
,
孙斌
功能材料
利用磁控溅射方法在单晶Si基底上沉积三元系铁电薄膜6％PMnN-94%5PZT（6％Pb（Mn1/3，Nb2／3）O3—94％Pb（Zr0.52，Ti0.48）O3），采用淬火方法对薄膜进行处理，以促进薄膜钙钛矿结构形成。同时，在相同条件下制备非掺杂PZT（52／48）薄膜以对比薄膜掺杂效果。运用X射线衍射（XRD）技术分析薄膜晶向及晶体结构，运用SawyerTower电路测试薄膜铁电性能，运用激光测振仪测试薄膜的压电系数。实验结果表明，所沉积薄膜为多晶钙钛矿结构铁电薄膜，薄膜铁电剩余极化Pr=23．7μC／cm2，饱和极化Ps=40μC／cm2，矫顽场电压2Ec=139kV／cm，横向压电系数e11=-13．2C／m2，薄膜的铁电及压电性能优良。
关键词:
多晶铁电薄膜
,
磁控溅射
,
铁电性能
,
压电性能
徐家跃
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武安华
,
陆宝亮
,
张爱琼
,
范世(马山豆)
,
夏宗仁
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.04.019
报道了我们在Li2B4O7、Sr3Ga2Ge4O14、LiNbO3、LiTaO3等声表面波用压电晶体材料方面的最新研究进展.采用改进型坩埚下降法成功生长了直径3～4英寸的Li2B4O7晶体,并实现了批量生产.作为硅酸镓镧系列新型压电晶体之一,Sr3Ga2Ge4O14晶体具有最大的压电系数.报道了直径2英寸Sr3Ga2Ge4O14晶体的生长结果,测试了该晶体的压电性能.在CO2(90%)、H2(10%)混合气氛中,分别在700℃和450℃下对LN和LT晶片进行化学还原处理,成功制备了3英寸LN和LT低静电黑片,不仅减少了器件制作工序,而且使成品率提高了5～8百分点.此外,在密封坩埚中生长了低静电LiNbO3晶体,观察到一些新的现象.
关键词:
压电
,
坩埚下降法
,
晶体生长
,
黑片
,
声表面波
杨洁
,
刘佳
,
邓湘云
,
杨仁波
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.09.025
采用溶胶-凝胶法制备出(Ba0．9 Ca0．1)(Zr0．15 Ti0．85)O3(简称BCT-BZT)粉体,并采用两段式传统烧结法用较低的烧结温度(1290℃)制备了该无铅压电陶瓷,运用热重差示扫描测量法分析了反应过程.X射线衍射测试结果表明,BCT-BZT粉体和陶瓷均是典型的钙钛矿结构,根据谢乐公式计算出粉体的晶粒尺寸约为32 nm.此外,室温下利用 TF Analyzer 2000铁电分析仪测得该陶瓷的介电常数高达6134,居里温度约为95℃,最大压电系数d33达到263 pm/V.利用此方法制备的 BCT-BZT 无铅压电陶瓷,其烧结温度与固相反应法相比降低了约200℃左右,同时还保持了良好的压电性能,从而降低了烧结成本,有利于实现该陶瓷的大规模工业化生产.
关键词:
无铅压电陶瓷
,
低温烧结
,
铁电性
,
压电性
王强
人工晶体学报
通过固相反应法制备了(BixNa1-x)0.94Ba0.06TiO3(x=0.5,0.505,0.51,0.515)陶瓷,研究了Bi3+含量对陶瓷样品结构和性能的影响.结果表明,Bi3+含量的变化并不影响陶瓷样品的相结构,所有样品均为纯的钙钛矿结构.当x=0.515时,样品具有更细小的晶粒尺寸.Bi3+含量的变化对样品的压电性和铁电性影响很大,随着Bi3+含量的增加,陶瓷样品的压电和铁电性逐渐减小;当x=0.515时,压电和铁电性消失,铁电陶瓷转变为反铁电陶瓷.
关键词:
无铅陶瓷
,
铁电性
,
压电性
,
反铁电
